Внимание! Отгрузка заказов 30 и 31 марта будет отложена из-за технических работ на территории склада. Пожалуйста, обратитесь к вашему менеджеру для переноса даты отгрузки скомплектованных заказов на более ранние даты, если это необходимо.

SiA936EDJ - сдвоенный компактный 20V N-MOSFET с низким RDSon

SiA936EDJ

Vishay Intertechnology представила новый сдвоенный N-канальный TrenchFET силовой MOSFET-транзистор в ультракомпактном, термически улучшенном корпусе PowerPAK SC-70. Разработанный чтобы сэкономить место на плате и увеличить энергоэффективность изделия, SiA936EDJ имеет самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии для 20 В MOSFET транзисторов с размерами посадочной площадки 2х2 мм на печатной плате.

Основные преимущества:

  • низкое сопротивление канала в открытом состоянии:
    • 34 мОм (4.5 В)
    • 37 мОм (3.7 В)
    • 45 мОм (2.5 В)

позволяет снизить перепады напряжения при большой нагрузке, что очень важно для правильной работы низковольтных узлов с системами контроля питания;

  • номинальный продолжительный ток нагрузки, ограниченный корпусом – 4.5 А;
  • встроенная ESD защита 2000 В;
  • два МОП-транзистора, встроенных в один компактный PowerPAK SC-70 корпус для экономии места на плате;
  • напряжение сток-исток: 20 В;
  • напряжение затвор-исток: ± 12 В;
  • 100% тестирование затворного сопротивления;

Область применения:

Коммутация питания для различных низковольтных нагрузок в компактных устройствах, преобразователи мощности, системы защиты аккумуляторов.

•••
О производителе
Поиск по параметрам
Информация для заказа и наличие на складах
Наименование Наличие Цена Краткое описание Карточка
товара
SIA936EDJ-T1-GE3 (VISHAY)
по запросу
0.4195 $ ~24.57 pуб.
от 1192шт
 
[SC-70-6L Dual] mosfet транзистор    
Поделиться
Похожие записи
Теги: , , , ,