 |
Магниторезистивная память MRAM Freescale Semiconductor – быстродействующие ОЗУ и ПЗУ в одной микросхеме
Электронные компоненты №1, 2007. Михаил Соколов
Магниторезистивные структуры как энергонезависимые элементы для хранения информации исследовались еще с первой половины ХХ века. Но только летом 2006 г. была представлена первая в мире микросхема энергонезависимой памяти, использующая технологию MRAM.
В некоторых публикациях этот факт называют прорывом в области разработки памяти за последние 10 лет. Так ли это и что из себя представляет магниторезистивная память – на эти вопросы отвечает данная статья. Также приводится подробное описание характеристик микросхемы MR2A16A как первого продукта в линейке MRAM памяти.
|
|
EEPROM с последовательным интерфейсом компании ROHM
Chip News № 4, 2005. Георгий Королев
Надёжность хранения данных является ключевым качеством для микросхем памяти. На основе длительного исследования моделей ошибок памяти, специалистами компании ROHM разработана технология Double-Cell EEPROM.
|
Версия для печати
