ЗАО КОМПЭЛ
О компании Новости Продукция События Публикации Ваши проекты Вакансии

Каталог » Микросхемы памяти » Энергонезависимая NAND FLASH память SAMSUNG

Энергонезависимая NAND FLASH память SAMSUNG

Версия для печатиВерсия для печати

SAMSUNG Electronics является мировым лидером по производству микросхем FLASH-памяти различного типа.

Наиболее популярными являются микросхемы NAND Flash-памяти. Эти микросхемы имеют странично-блочную организацию и последовательный доступ к данным в пределах одной страницы. Такая организация больше всего подходит для хранения больших массивов данных, тем более что объем памяти этих микросхем достигает 8 Гбит (1 ГБайт). На основе этих микросхем построены все известные карты памяти.

НаименованиеОрганизацияРабочее напряжение(V)ТемператураСкорость(ns)Корпуса
K9F5608U0D 32Mx8 2.7~3.6 C,I 50 48TSOP1,48WSOP1,63FBGA
K9F5608R0D 32Mx8 1.65~1.95  I 50 63FBGA
K9F1208U0C 64Mx8 2.7~3.6 C,I 42 48TSOP1, 63FBGA

K9F1208R0C 

64Mx8 1.65~1.95  I 42  63FBGA
K9F1G08U0B 128Mx8 2.7~3.6 C,I 30 48TSOP1,48WSOP1,63FBGA
K9F2G08U0A 256Mx8 2.7~3.6 C,I 30 48TSOP1
K9F4G08U0A 512Mx8 2.7~3.6 C,I 25 48TSOP1,52ULGA

1. Температурные режимы                    
C : Commercial (0°C ~ 70°C), I : Industrial (-40°C ~ 85°C)

2. Lead-Free Корпус

K9XXXXXXXX-XXXXXXX (X место корпуса в наименовании) 

I : ULGA (lead-free) (12*17)
J : FBGA (lead-free)
L : ULGA (lead-free) (14*18)
P : TSOP1 (lead-free)
R : 56-TSOP1 (lead-free)
Z : WELP (lead-free)
B : FBGA (lead-Free & halogen-free)
S : TSOP1 (lead-free & halogen-free)

PDFРасшифровка наименования (54,4 кБ)

 

По вопросам заказа пишите по адресу order@compel.ru или обращайтесь к своему менеджеру  


Rambler's Top100