SAMSUNG Electronics является мировым лидером по производству микросхем FLASH-памяти различного типа.
Наиболее популярными являются микросхемы NAND Flash-памяти. Эти микросхемы имеют странично-блочную организацию и последовательный доступ к данным в пределах одной страницы. Такая организация больше всего подходит для хранения больших массивов данных, тем более что объем памяти этих микросхем достигает 8 Гбит (1 ГБайт). На основе этих микросхем построены все известные карты памяти.
| Наименование | Организация | Рабочее напряжение(V) | Температура | Скорость(ns) | Корпуса |
|---|---|---|---|---|---|
| K9F5608U0D | 32Mx8 | 2.7~3.6 | C,I | 50 | 48TSOP1,48WSOP1,63FBGA |
| K9F5608R0D | 32Mx8 | 1.65~1.95 | I | 50 | 63FBGA |
| K9F1208U0C | 64Mx8 | 2.7~3.6 | C,I | 42 | 48TSOP1, 63FBGA |
| 64Mx8 | 1.65~1.95 | I | 42 | 63FBGA | |
| K9F1G08U0B | 128Mx8 | 2.7~3.6 | C,I | 30 | 48TSOP1,48WSOP1,63FBGA |
| K9F2G08U0A | 256Mx8 | 2.7~3.6 | C,I | 30 | 48TSOP1 |
| K9F4G08U0A | 512Mx8 | 2.7~3.6 | C,I | 25 | 48TSOP1,52ULGA |
1. Температурные режимы
C : Commercial (0°C ~ 70°C), I : Industrial (-40°C ~ 85°C)
2. Lead-Free Корпус
K9XXXXXXXX-XXXXXXX (X место корпуса в наименовании)
I : ULGA (lead-free) (12*17)
J : FBGA (lead-free)
L : ULGA (lead-free) (14*18)
P : TSOP1 (lead-free)
R : 56-TSOP1 (lead-free)
Z : WELP (lead-free)
B : FBGA (lead-Free & halogen-free)
S : TSOP1 (lead-free & halogen-free)
Расшифровка наименования (54,4 кБ)
По вопросам заказа пишите по адресу order@compel.ru или обращайтесь к своему менеджеру










Версия для печати