Версия для печатиS29AlxxxD Объем 4-32мб. Таблица
Данная серия микросхем памяти SPANSION разработана с использованием стандартной технологии Floating Gate. Технология была разработана прародителем Spansion, компанией AMD. Успех этой технологии объясняется следующими характеристиками этой памяти:- Поддержка семейств с напряжением питания 5 В, 3 В и 1.8 В на протяжении длительного времени;
- Агрессивный переход с технологии 90 нм на 65 нм;
- Доступность устройств в исполнении Known Good Die (KGD);
- Поддержка стандартного набора команд и схемы расположения выводов;
- Запатентованная архитектура чтения-записи, позволяющая выполнять операцию чтения без остановки команд записи и стирания
S29GLxxx Объем 16мб- 1Gb. Таблица
Эта серия микросхем памяти SPANSION разработана с использованием уникальной технологии MirrorBit. Подробнее
Эта технология лидирует по соотношению цена-производительность. Микросхема памяти емкостью 1 Гб, выполненная по технологии 90 нм. MirrorBit, является пока единственным представителем с такой емкостью кристалла на рынке NOR Flash памяти. Компания Spansion нацелена и в дальнейшем удовлетворять потребностям разработчиков, пополняя рынок решениями с нужным объемом памяти.
Сайт SPANSION.
- Параметрический поиск микросхем NOR Flash памяти
- Выбор памяти, через выбор области применения, в которой вы предполагают использование памяти Spansion
- Используемые технологии при производстве
- Позиции снимаемые с производства.
