Последовательная FLASH память Numonyx (STMicroelectronics)

 Особенности последовательной FLASH-памяти Numonyx

1. FLASH-памяти Numonyx предназначена для хранения инструкций и данных в портативных устройствах, периферийных устройствах и BIOS, игровых картриджах, графических платах, идеальны для использования в управлении двигателями, в модулях управления трансмиссией и применениях обеспечения безопасности, в таких автомобильных системах как приборная панель, дисплеи мультимедиа и аудио систем.
2. Экономит пространство, снижает стоимость применения за счет очень маленького корпуса и 4-проводной шины и позволяет в еще большей мере снизить стоимость применения в целом, за счет использования всего лишь нескольких выводов I/O микроконтроллера или специализированной интегральной схемы.
3. Совместимость между приборами с разной емкостью  - включая совместимость по выводам, программным протоколам конфигурирования и характеристикам энергопотребления.

Микросхемы Flash-памяти C Посекторным стиранием  

Наименова- ние	Раз- мер па- мяти Мбит	Vcc	Час- тота  мах MHz	Время сти- рания сектора памяти, ном. (мс)	Время записи стра- ницы памяти, тип. (мс)	Число циклов записи/ стира- ния	Сохра- нение дан- ных, мин. лет	Tок в ре- жиме хра- нения uA	Ток в актив- ном режиме (чтен.), mA	Темпе- ратура	Корпус
M25P05-A (404 Кб)	0	2.7-3.6	50	800	1.4	100000	20	5	8	-40 +85	SO8; TSSOP8; VFQFPN8
M25P10-A (402 Кб)	1	2.7-3.6	50	800	1.4	100000	20	5	8	-40 +125	SO8; VFQFPN8
M25P128 (374 Кб)	128	2.7-3.6	50	2000	2.5	10000	20	100	8	-40 +85	SO16L; VDFPN8
M25P16 (414 Кб)	16	2.7-3.6	50	1000	1.4	100000	20	10	8	-40 +125	SO08.208; SO16L; SO8; VDFPN8
M25P20 (405 Кб)	2	2.7-3.6	50	800	1.4	100000	20	5	8	-40 +125	SO8; VFQFPN8
M25P32 (424 Кб)	32	2.7-3.6	50	1000	1.4	100000	20	10	8	-40 +85	SO16L; VDFPN8
M25P40 (417 Кб)	4	2.7-3.6	50	1000	1.4	100000	20	10	8	-40 +125	SO8; VFQFPN8
M25P64 (428 Кб)	64	2.7-3.6	50	1000	1.4	100000	20	50	8	-40 +85	SO16L; VDFPN8
M25P80 (454 Кб)	8	2.7-3.6	40	1000	1.4	100000	20	10	8	-40 +125	SO08.208; SO8; VFQFPN8

 

Микросхемы Flash-памяти С Постраничным стиранием

Наименова- ние	Раз- мер па- мяти Мб	Vcc	Час- тота  мах MHz	Время сти- рания сектора памяти, ном.	Время записи стра- ницы памяти, тип.	Число циклов записи/ стира- ния	Сохра- нение дан- ных, мин. лет	Tок в ре- жиме хра- нения uA	Ток в актив- ном режиме (чтен.), mA	Темпе- ратура	Корпус
M25PE10 (374 Кб)	1	2.7-3.6	33	1.2	1000	100000	20	10	6	-40 +85	SO8
M25PE16 (445 Кб)	16	2.7-3.6	50	1.2	512	100000	20	10	6	-40 +85	SO08.208; VFQFPN8
M25PE20 (374 Кб)	2	2.7-3.6	33	1.2	1000	100000	20	10	6	-40 +85	SO8
M25PE40 (401 Кб)	4	2.7-3.6	33	1.2	1000	100000	20	10	6	-40 +85	SO08.208; VFQFPN8
M25PE80 (507 Кб)	8	2.7-3.6	50	1.2	1000	100000	20	10	6	-40 +85	SO08.208; VFQFPN8
M45PE10 (537 Кб)	1	2.7-3.6	33	1.2	1000	100000	20	10	6	-40 +85	SO8; VFQFPN8
M45PE16 (330 Кб)	16	2.7-3.6	50	1.2	512	100000	20	10	6	-40 +85	SO08.208; VFQFPN8
M45PE20 (538 Кб)	2	2.7-3.6	33	1.2	1000	100000	20	10	6	-40 +85	SO8; VFQFPN8
M45PE40 (549 Кб)	4	2.7-3.6	33	1.2	1000	100000	20	10	6	-40 +85	SO08.208; VFQFPN8
M45PE80 (382 Кб)	8	2.7-3.6	50	1.2	1000	100000	20	10	6	-40 +85	SO08.208; VFQFPN8

 

Более полную информацию Вы можете получить на сайте www.numonyx.com 

По вопросам заказа пишите по адресу  order@compel.ru или обращайтесь к своему менеджеру