Версия для печати
Компания Freescale Semiconductor выпустила первую в мире микросхему памяти на основе магниторезистивных структур MRAM - автономный модуль MR2A16A с объемом памяти 4 Мбит.
Новый тип памяти обладает уникальным набором характеристик - энергонезависимость при неограниченном количестве циклов и высокой скорости записи.
Данная технология памяти, использующая магнитные моменты для сохранения состояния битов вместо электрических зарядов, стала полностью пригодна для коммерческого использования.
Технология MRAM обладает всеми необходимыми свойствами для того, чтобы стать «универсальной памятью», успешно совмещая в себе основные преимущества различных типов энергонезависимой и оперативной памяти. Кроме того, существует ряд уникальных особенностей, открывающих широкие рыночные перспективы для данного устройства.
На сегодняшний день, доступен первый законченный продукт микросхемы MRAM - MR2A16A с объемом памяти 4 Мбит.
Основные параметры микросхем MRAM
| Параметры | MR2A16A | MR1A16A | MR0A16A |
|---|---|---|---|
 MR2A16A (245 Кб) | MR1A16A (239 Кб) | MR0A16A (236 Кб) | |
| Неразрушающие чтение / запись | |||
| Побитовое стирание / запись со скоростью до 28 Мбит/сек | |||
| Энергонезависимая память с практически неограниченным числом циклов чтения/записи | более1016 | ||
| Симметричные временя циклов чтения/записи/стирания, нс | 35 | ||
| Объем памяти, Мбит | 4 | 2 | 1 |
| Организация памяти, Kб х бит | 256 x 16 | 128 x 16 | 64 x 16 |
| Шина данных, бит | 8 / 16, настраиваемая | ||
| Время хранения информации, лет | более 20 | ||
| Напряжение питания, В | 3.0...3,6 | ||
| Слежение за пониженным напряжением | да | ||
| Совместимость по выводам | SRAM | ||
| Рабочий температурный диапазон, oС | MR2A16AYS35 (Commercial): 0...70 MR2A16ACYS35 (Industrial): -40...+85 MR2A16AVYS35 (Extended): -40...+105 | MR1A16AYS35 (Commercial): 0...70 MR1A16ACYS35 (Industrial): -40...+85 MR1A16AVYS35 (Extended): -40...+105 | MR0A16AYS35 (Commercial): 0...70 MR0A16ACYS35 (Industrial): -40...+85 MR0A16AVYS35 (Extended): -40...+105 |
| Корпус | 44-TSOP, RoHS, внутреннее экранирование | ||
| Выводы микросхемы | TTL совместимые | ||
| Поддержка статических операций | да | ||
| Доступность, образцы | Серийное производство, бесплатные образцы с сайта производителя | Серийное производство | Серийное производство, бесплатные образцы с сайта производителя |
| Информация по влиянию электромагнитоных полей на MRAM память доступна на сайте производителя | |||
Сравнительные характеристики основных типов памяти
| MRAM | SRAM | DRAM | FLASH | FRAM | |
|---|---|---|---|---|---|
| Скорость чтения | Высокая | Самая высокая | Средняя | Высокая | Высокая |
| Скорость записи | Высокая | Самая высокая | Средняя | Низкая | Средняя |
| Масштабируемость | Хорошая | Хорошая | Ограниченная | Ограниченная | Ограниченная |
| Плотность ячеек | Средняя/высокая | Низкая | Высокая | Средняя | Средняя |
| Энергонезависимость | Да | Нет | Нет | Да | Да |
| Число циклов стирания/записи | Неограниченное | Неограниченное | Неограниченное | Ограниченное | Ограниченное |
| Ток утечки ячеек | Низкий | Низкий/Высокий | Высокий | Низкий | Низкий |
| Возможность работы при низких напряжениях | Да | Да | Ограниченная | Ограниченная | Ограниченная |
| Сложность производства | Средняя | Низкая | Средняя | Средняя | Средняя |
Дополнительно
В данной презентации представлена основная информация о MRAM: описание микросхемы, принцип действия, roadmap (планы по развитию), таблица сравнения памяти MRAM с "универсальными" микросхемами памяти других производителей, а также - описание применений данной ИС и др.
По вопросам заказа пишите по адресу order@comple.ru или обращайтесь к своему менеджеру.
