Версия для печати
Корпорация International Rectifier производит IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) на диапазон напряжений 250-1200 В и токи от 5 до 120А.
В программе поставок дискретные IGBT и IGBT с антипараллельным ультрабыстрым диодом в стандартных пластмассовых корпусах для объемного и поверхностного монтажа .
Компания производит транзисторы трех поколений - PT IGBT поколения 4, NPT IGBT поколения 5 и Trench IGBT поколения 6.
IGBT производства IR характеризуются низкими потерями всех типов, устойчивостью к короткому замыканию, широкой зоной безопасной работы, простотой параллельного соединения и простотой управления ( в отличие от аналогов они не требуют отрицательного смещения на затворе при запирании), широким частотным диапазоном работы.
Специализированные для работы в мощных импульсных преобразователях WARP 2 IGBT успешно заменяют мощные МОП-транзисторы на частотах ШИМ до 150 кГц.
Trench IGBT поколения 6 в отличие от аналогов характеризуются минимальными потерями мощностями каждого типа (на проводимость, на переключение, на управление), которые существенно ниже чем у транзисторов предыдущих поколений. Они являются универсальной заменой транзисторов предыдущего поколения (от низкочастотных до ультрабыстрых) при проектировании новых устройств или модернизации серийной продукции.
