Версия для печати
Корпорация International Rectifier является признанным мировым лидером в производстве силовых МОП транзисторов.
- N-канальные
- Р-канальные
- Сборка. 2 N-канальных
- Сборка. 2 Р-канальных
- Сборка. 1 N-канальный / 1 Р-канальный
- Fetky - сборка МОП-транзистор и диод шоттки
В 1978г IR разработала универсальную технологию HEXFET производства МОП транзисторов с гексагональной формой ячейки, на десятилетие опередившую разработки в этой области, и в 1979 году первой в мире приступила к серийному производству силовых МОП-транзисторов. В течение нескольких десятилетий более 75% мирового производства всех силовых МОП- транзисторов приходилось на транзисторы изготовленные по этой технологии. В 1995 году IR приступила к серийному производству транзисторов пятого поколения. Их отличали улучшенные электрические и тепловые характеристики и цена за счет минимального числа фотолитографий (4) и автосовмещения масок.
В 1997г IR приступила к серийному производству транзисторов поколения 7 с полосковой структурой ячеек (StripFET) . Транзисторы этого поколения отличала особая надежность при работе в предельных режимах. У StripFET отсутствует паразитный биполярный транзистор и исключен выход из строя по причине его "захлопывания" . StripFET имеют более компактную ячейку и сниженные потери на проводимость и переключение чем HEXFET в диапазоне напряжений до 200В. Седьмое поколение HEXFET в течение нескольких лет было основой номенклатуры транзисторов IR для автоэлектроники и по настоящее время является основой номенклатуры высоконадежных транзисторов в герметичных корпусах для наиболее ответственных применений.
В настоящее время усилия компании сосредоточены на совершенствовании новых поколений Trench MOSFET, как наиболее эффективных по всем видам потерь, габаритам и цене. Благодаря вертикальному расположению затвора транзисторы этого типа имеют минимальную площадь ячейки и самое низкое сопротивление открытого канала. Разработав уникальную технологию независимого программирования толщины окисла на стенках и дне канавки, IR устранила главный недостаток TrenchMOSFET-противоречие между плотностью структуры (размером ячейки) и динамическими потерями в транзисторе. Это позволяет создавать транзисторы с запрогроаммированным минимальным уровнем потерь на проводимость, перключение и управление. Trench MOSFET новых поколений составляют основу обновляемой номенклатуры МОП транзисторов IR.
Большое внимание компания уделяет совершенствованию технологий корпусирования, поскольку только оптимальное сочетание кристалла и корпуса обеспечивает создание по настоящему эффективного транзистора. IR является автором многих типов корпусов, ставших стандартными в отрасли, в том числе супер корпусов ТО-220 и ТО-247. Настоящим переворотом в технологии корпусировании стала революционная технология корпусирования DirectFET, впервые обспечившая эффективный двусторонний отвод тепла с корпуса. Благодаря прямому контакту выводов кристалла с платой и металлическим полукорпусом (вывод стока) корпуса DirectFET обеспечивают ультранизкое тепловое и электрическое сопротивление корпуса, компактные размеры, отсутствие паразитных индуктивностей, высокую рассниваемую корпусом мощность, эффективный двусторонний отвод тепла, простую топологию платы при параллельном соединении транзисторов.
Подробнее см. сайт производителя
