EE-SX1082

Omron
LS: Optical Sensor (Switch) Transmissive Slotted Interrupter
развернуть ▼ свернуть ▲
Фотография EE-SX1082

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SX1082 ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • • • • E Horizontal sensing aperture. PCB mounting type. High resolution with a 0.2-mm-wide aperture. RoHS Compliant. ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) C Item Emitter Detector C A E Terminal No. Name A K C Anode Cathode Collector E Emitter Unless otherwise specified, the tolerances are ±0.2 mm. Rated value IF 50 mA (see note 1) Pulse forward current IFP 1 A (see note 2) Reverse voltage VR 4V Collector–Emitter voltage VCEO 30 V Emitter–Collector voltage VECO --- Collector current IC 20 mA Collector dissipation PC Internal Circuit K Symbol Forward current 100 mW (see note 1) Ambient Operating temperature Storage Topr –40°C to 85°C Tstg –40°C to 100°C Soldering temperature Tsol 260°C (see note 3) Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. The pulse width is 10 µs maximum with a frequency of 100 Hz. 3. Complete soldering within 10 seconds. ■ Ordering Information Description Model Photomicrosensor (transmissive) EE-SX1082 ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Detector Forward voltage Symbol Value Condition VF 1.2 V typ., 1.5 V max. IF = 30 mA Reverse current IR 0.01 µA typ., 10 µA max. VR = 4 V Peak emission wavelength λP 920 nm typ. IF = 20 mA Light current IL 0.12 mA min. IF = 20 mA, VCE = 5 V Dark current ID 2 nA typ., 200 nA max. VCE = 10 V, 0 lx Leakage current ILEAK --- --- Collector–Emitter saturated voltage VCE (sat) 0.08 V typ., 0.4 V max. IF = 20 mA, IL = 0.05 mA Peak spectral sensitivity wavelength λP 850 nm typ. VCE = 10 V Rising time tr 100 µs typ. VCC = 5 V, RL = 50 kΩ, IL = 0.1 mA Falling time tf 1,000 µs typ. VCC = 5 V, RL = 50 kΩ, IL = 0.1 mA 180 Photomicrosensor (Transmissive) EE-SX1082 PDF
Документация на серию EE-SX1081 

36_sx1082.fm

Дата модификации: 16.03.2005

Размер: 231.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0611S (KGB)