Хорошие перспективы: новые SiC-полупроводники GPT

25 ноября 2022

Полупроводники на основе карбида кремния (SiC) имеют огромные перспективы в области силовой электроники. В Китае карбид-кремниевая промышленность – одно из направлений национального плана развития науки и техники, относящееся к национальной стратегической отрасли. Чтобы обеспечить промышленность Китая собственными SiC-полупроводниками, весной 2011 года была создана компания Global Power Technology Co., Ltd. (GPT), которая достаточно быстро начала свое развитие:

• февраль 2012 – официальное открытие помещения, начало пуско-наладочных работ;
• март 2012 – тестовый запуск технологической линии SiC-полупроводников;
• декабрь 2012 – разработан диод Шоттки первого поколения с параметрами 1200 В/20 A;
• ноябрь 2013 – массовое производство диодов Шоттки 600 и 1200 В;
• декабрь 2013 – разработаны диоды Шоттки 1700 В/10 А и 3300 В/5 А;
• декабрь 2016 – производство экспериментального образца SiC-транзистора 1200 В/10 A;
• март 2019 – реализация проекта 6-дюймовой линии силовых электронных SiC-компонентов.

За время развития GPT прошел сертификацию ISO9001 и IATF16949 и активно продолжает исследования в области силовых SiC-компонентов. Компания ведет постоянную разработку SiC-модулей и в настоящее время готова предложить SiC-диоды Шоттки нескольких поколений (номер которых является первой цифрой в наименовании) со следующими характеристиками:

• 600 В, 4, 6 и 8 A;
• 650 В, 1…100 A;
• 1200 В, 2…50 A;
• 1700 В, 5, 10, 20 и 50 A;
• 3300 В, 0,6…5 А;
• различное исполнение корпусов: T0-220, TO-247, TO-252, TO-263, TO-268, DFN5*6, DFN8*8, SOD123, SMA, SMD, а также бескорпусные кристаллы (Bare Die);
• наличие 1 или 2 диодов в корпусе.

Наличие компонентов нескольких поколений позволяет найти оптимальный баланс между стоимостью и характеристиками, например, стоимость пятого поколение диодов выше, но оно имеет наибольшую эффективность благодаря очень малому падению напряжения.

В конце 2022 года компания планирует выпуск ряда SiC MOSFET.

SiC-полупроводники в ближайшие десятилетия займут лидирующие позиции в производстве электроприводов, различных преобразователей и источников питания. Компания GPT готова предложить свою продукцию, не уступающую по качеству компонентам других производителей. Постоянные инвестиции в разработку новых компонентов, небольшой срок производства (6…8 недель), развитие склада компонентов и уже существующая очень широкая линейка SiC-диодов обеспечивают сотрудничество с компанией GPT перспективностью и надежностью.