MG200HF12TLC3 – новый полумостовой IGBT-модуль SUNCOYJ в компактном корпусе C3
6 июля 2023
Компания SUNCOYJ объявила о пополнении серии MG200HF12 новым IGBT-модулем MG200HF12TLC3 (рисунок 1) в более компактном корпусе C3 (рисунок 2). Он предназначен для работы в высокочастотных применениях силовой электроники, таких как управление двигателем, бесперебойные источники питания, сварочные аппараты и подобное. Модуль совместим по выводам с аналогами других производителей и соответствует стандартам RoHS.
Особенности MG200HF12TLC3:
- рабочие напряжение и ток до 1200 В и 200 А;
- рабочая температура кристалла до 175°C;
- малое напряжение насыщения перехода «коллектор-эмиттер»;
- встроенные ультрабыстрые защитные диоды;
- способность выдерживать ток короткого замыкания длительностью до 10 мкс;
- изоляционная подложка конструкции DBC (Direct Bonded Copper).
Рис. 1. Внешний вид модуля MG200HF12TLC3
Рис. 2. Схема корпуса форм-фактора C3 для модуля MG200HF12TLC3
MG200HF12TLC3 построен по полумостовой топологии и представляет собой два IGBT-транзистора с шунтирующими диодами. Внутреннее устройство и назначение выводов модуля показано на рисунке 3. Некоторые технические характеристики приведены в таблице 1.
Рис. 3. Схема модуля MG200HF12TLC3
Таблица 1. Характеристики MG200HF12TLC3 производства компании SUNCOYJ
| Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер» (VCE) при VGE = 0 В, IC = 1 мА, Tvj = 25°C, В | 1200 | ||
|---|---|---|---|
| Продолжительный ток коллектора (IC) при температуре корпуса (TC) 100°C, А | 200 | ||
| Максимальный повторяющийся (tp = 1 мс) импульсный ток коллектора (ICRM), А | 400 | ||
| Максимальное напряжение «затвор-эмиттер» (VGE) при Tvj = 25°C, В | ±20 | ||
| Рассеиваемая мощность при TC = 25°C, Tjmax = 175°C, Вт | 1250 | ||
| Номинальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(SAT)), В | VGE = 15 В, IC = 200 А, Tvj = 25°C | 1,85 | |
| VGE = 15 В, IC = 200 А, Tvj = 125°C | 2,20 | ||
| VGE = 15 В, IC = 200 А, Tvj = 150°C | 2,30 | ||
| Заряд затвора (Qg), мкКл | 1,2 | ||
| Входная емкость (Cies) при VGE = 0 В, VCE = 25 В, f = 1 МГц, Tvj = 25°C, нФ | 12,8 | ||
| Задержка выключения, нс | VGE = ±15 В, VCE = 600 В, IC = 200 А, RG = 3,3 Ом, Tvj = 25°C | 320 | |
| VGE = ±15 В, VCE = 600 В, IC = 200 А, RG = 3,3 Ом, Tvj = 125°C | 450 | ||
| VGE = ±15 В, VCE = 600 В, IC = 200 А, RG = 3,3 Ом, Tvj = 150°C | 483 | ||
| Интегрированный диод | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (VRPM), В | 1200 | |
| Максимальный продолжительный прямой ток (IF), А | 200 | ||
| Максимальный повторяющийся (tp = 1 мс) импульсный ток (IFRM), А | 400 | ||
| Корпус | С3 | ||
| Минимальное напряжение изоляции (Visol) при t = 1 мин, f = 50 Гц, В | 2500 | ||
| Диапазон рабочих температур кристалла (Tvj), °C | -40…150 | ||
| Максимальная температура кристалла (Tjmax), °C | 175 | ||
| Вес, г | 215 | ||
| Габариты (ДxШxВ), мм | 93,2×45,6×30,0 | ||
Компания SUNCOYJ – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников.
Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовлени ...читать далее
Наши информационные каналы