На склад КОМПЭЛ поступили дискретные полупроводники SuncoYJ

1 февраля

Компания SuncoYJ является одной из важнейших полупроводниковых компаний КНР с бизнес-моделью IDM (Integrated Device Manufacture). Качество продукции SuncoYJ высоко ценится производителями электроники во всем мире.

Дискретные полупроводниковые компоненты из ассортимента этой компании поступили на склад КОМПЭЛ и доступны к заказу. Среди них:

• биполярные транзисторы и сборки в корпусах для поверхностного монтажа (таблица 1), а также со встроенными резисторами (цифровые транзисторы, таблица 2);
• МОП-транзисторы (MOSFET) и их сборки (таблица 3);
• одиночные стабилитроны в корпусе SOD-123 и сдвоенные с общим анодом в корпусе SOT-23 (таблица 4);
• сборки диодов Шоттки с общим анодом (таблица 5);
• диодные мосты в корпусах для поверхностного и сквозного монтажа (таблица 6).

Эксплуатация сборок диодов Шоттки допускается в диапазоне температур перехода -55…125°C, для остальных компонентов этот параметр составляет -55…150°C.

Таблица 1. Биполярные транзисторы и сборки SuncoYJ с температурой перехода -55…150°C

Наименование	Полярность и топология	Ток коллектора IC, А	Максимальное напряжение, В			Корпус
			VCEO	VCBO	VEBO
BC848C	NPN	0,1	45	50	6	SOT-23
BC858C	PNP	-0,1	-30	-30	-5
MJD31C	NPN	3	100	100	5	TO-252
MJD32CQ	PNP	-3	-100	-100	-5
MMDT3904	NPN+NPN	0,2	40	60	6	SOT-363

Таблица 2. Цифровые транзисторы (транзисторы со встроенными резисторами) SuncoYJ с температурой перехода -55…150°C

Наименование	Полярность	Интегрированные резисторы		Ток коллектора IC, мА	Максимальное напряжение, В		Корпус
		R1, кОм	R2/R1		Вход	Коллектор
DTA123JCA	PNP	1,54…2,86	17…26	-100	-12…5	-50	SOT-23

Таблица 3. МОП-транзисторы (MOSFET) SuncoYJ и их сборки

Наименование	Полярность и топология	Напряжение «сток-исток» VDS, В	Ток стока ID при Tc = 25°C, А	Пороговое напряжение затвора Vth, В	Номинальное сопротивление перехода Rdson при VGS = 10 В, мОм	Общий заряд затвора Qg, нКл	Корпус
2N7002DW	N + N	60	0,34	1…2,5	1,2	1,6	SOT-363
YJL03N03B	N	30	3	0,65…1,5	40	6	SOT-23

Таблица 4. Стабилитроны SuncoYJ

Наименование	Напряжение стабилизации при токе 5 мА, В			Максимальный ток утечки		Мощность рассеивания, мВт	Корпус
	Мин.	Ном.	Макс.	IR, мкА	VR, В
BZT52C2V7	2,57	2,7	2,84	20	1,0	500	SOD-123
BZT52C3V3	3,14	3,3	3,47	5	1,0
BZT52C4V7	4,47	4,7	4,94	3	2,0
BZT52C5V1	4,85	5,1	5,36	2	2,0
BZT52C5V6	5,32	5,6	5,88	1	2,0
BZT52C9V1	8,5	9,1	9,6	0,5	6,0
BZT52C10	9,4	10	10,6	0,2	7,0
BZT52C12	11,4	12	12,7	0,1	8,0
BZT52C13	12,4	13	14,1	0,1	8,0
MMSZ5243B	12,35	13	13,65	0,5	9,9
BZT52C15	14,25	15	15,6	0,1	10,5
BZT52C16	15,3	16	17,1	0,1	11,2
BZT52C18	16,8	18	19,1	0,1	12,6
BZT52C39	37	39	41	0,1	27,3
BZT52C43	40	43	46	0,1	32
AZ23C3V3	3,1	3,3	3,5	5	1	300	SOT-23
AZ23C3V9	3,7	3,9	4,1	3	1
AZ23C4V7	4,4	4,7	5,0	3	2

Таблица 5. Диодные сборки Шоттки производства SuncoYJ

Наименование	Обратное напряжение VR, В	Прямой ток IF, мА	Пиковый прямой ток IFSM, мА	Прямое напряжение VF при токе 0,1 мА, В	Обратный ток IR при Tj = 25°C, мкА	Корпус
BAS70-06	70	70	100	0,41	0,2	SOT-23

Таблица 6. Диодные мосты производства SuncoYJ

Наименование	Повторяющееся импульсное обратное напряжение VRRM, В	Средний прямой ток IO, А	Пиковый прямой ток IFSM, А	Прямое напряжение VF при токе 0,5 А, В	Обратный ток IR при Tj = 25°C, мкА	Корпус
ABS10	1000	1	35	0,95	5	ABS
MB10S	1000	0,8	30	1,0	5	MBS
GBU608	800	2,8 (6,0 c радиатором)	150	1,0	5	GBU
KBL406	600	4	120	1,05	10	KBL
KBPC806	600	8	150	1,1	10	KBPC8