Первый в мире 1000V SiC MOSFET

19 июля 2017

Являясь пионером в области карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя портфолио новыми приборами.

Класс напряжения новых карбид-кремниевых транзисторов 1000 В позволяет проявить определенную гибкость в разработке изделий. Такой номинал напряжения, во-первых, охватывает большинство основных топологий силовых устройств. Во-вторых, для многих приложений уже нет необходимости использовать приборы на 1200 В, которые, как правило, более дорогие.

В течение последних 5 лет SiC MOSFET нашли свою нишу в силовых преобразователях для альтернативной энергетики, промышленных источниках питания и зарядных станциях электротранспорта, во многих случаях заменяя кремниевые IGBT. Карбид-кремниевые транзисторы превосходят традиционные кремниевые полевые транзисторы по основному технологическому показателю качества – Figure–Of–Merit (FOM определяется как Rds(on)·Qgate).

SiC MOSFET 3-го поколения:

Наименование Vds(max) (В) Rds(on) @ 25°C (мОм) Ток Id @ 25°C (А) Корпус
C3M0065090J 900 65 35 D2PAK-7
C3M0065090D 65 36 TO-247-3
C3M0120090D 120 23 TO-247-3
C3M0120090J 120 22 D2PAK-7
C3M0280090J 280 11.5 D2PAK-7
C3M0280090D 280 11.5 TO-247-3
C3M0065100K 1000 65 35 TO247-4
C3M0065100J 65 35 D2PAK-7
C3M0120100K 120 22 TO247-4
C3M0120100J 120 22 D2PAK-7

Технические особенности:

  • Новейшая технология производства кристаллов SiCC3M™;
  • Уменьшение паразитной индуктивности вывода за счет соединения Кельвина цепи управления транзистором;
  • Расстояние утечки тока по поверхности корпуса между стоком и истоком (Creepage distance) – 7 мм (корпус D2PAK-7L) и 8 мм (корпус TO247-4L);
  • Высокое блокирующее напряжение Vds(max) при низком сопротивлении Rds(on);
  • Работа преобразователей на высокой частоте коммутации;
  • Сверхнизкий заряд обратного восстановления диода Qrr;
  • Ультра-низкая выходная ёмкость Сoss приборов – не более 60 пФ позволяет существенно снизить потери переключения транзистора;
  • Стойкость транзистора к лавинному пробою.

Системные преимущества:

  • Снижение потерь переключения на порядок (по сравнению с Si-IGBT);
  • Меньше мощность потерь – ниже требования к системе охлаждения;
  • Высокая частота коммутации позволяет уменьшить размеры компонентов и, следовательно, удешевить их;
  • Обеспечение более высоких удельных показателей преобразователей;
  • Значительное повышение КПД преобразователя и уменьшение требований к системе охлаждения.

Целевые применения:

  • Инверторы напряжения;
  • Зарядные устройства;
  • Промышленные источники питания;
  • Высоковольтные DC-DC преобразователи.
•••

Наши информационные каналы

О компании WOLFSPEED (A Cree Company)

Компания Wolfspeed, входящая в структуру CREE Inc., является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов из карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми приборами. Среди них – рабочая температура кристалла до 600°С, высокое быстродействие, радиационная стойкость. В настоящее время Wolfspeed производит высоковольтные SiC ди ...читать далее

Товары
Наименование
C3M0065100K (CREE PWR)
C3M0065100J (CREE PWR)
C3M0120100K (CREE PWR)
C3M0120100J (CREE PWR)
C3M0065090J (CREE PWR)
C3M0065090D (CREE PWR)
C3M0120090D (CREE PWR)
C3M0120090J (CREE PWR)
C3M0280090JTR (CREE)
C3M0280090D (CREE PWR)
Поиск по параметрам
Карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed
Теги: ,
Рубрики: