IGBT модули с увеличенной плотностью мощности от Infineon

Компания Infineon обновила семейство IGBT модулей в стандартном корпусе 62 мм, выпустив приборы с увеличенными рабочими токами. Таким образом, используя данные модули, можно повысить выходную мощность при неизменных конструктиве и размерах преобразователя, либо снизить рабочую температуру кристалла для применений, требующих высокой надежности.

Новые модули доступны на напряжение 1200 В с током коллектора 600 А и на напряжение 1700 В с током коллектора 500 А. Топология соединения внутри модуля выполнена по схеме полумост, для 1200 В IGBT доступен вариант соединения транзисторов с общим эмиттером. Приборы также можно заказать в исполнении с предварительно нанесенным теплопроводящим материалом TIM.

Технические характеристики

  • напряжение/ток ­1200 В (600 А) и 1700 В (500 А);
  • максимальная допустимая температура перехода Tvjop=150°C;
  • изоляция 4 кВ (1 минута);
  • кристаллы IGBT 4 Trench/Fieldstop;
  • стандартный корпус 62 мм;
  • высокие изоляционные свойства корпуса (ток утечки по воздуху и по поверхности).

Целевые применения:

  • частотные электроприводы;
  • источники бесперебойного питания;
  • альтернативная энергетика.

Материалы по теме:

Руководства по применению:

Статьи:

Новости:

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
FF600R12KE4BOSA1 (INFIN)
FF500R17KE4BOSA1 (INFIN)
FF300R12KE4HOSA1 (INFIN)
FF300R12KE4B2HOSA1 (INFIN)
FF200R17KE4HOSA1 (INFIN)
Поиск по параметрам
IGBT модули Infineon