1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B

Компания Infineon представила MOSFET модули в корпусе EasyDUAL™ 1B из новой линейки карбид-кремниевых приборов CoolSiC™. Максимальное напряжение сток-исток приборов составляет 1200 В, топология соединения – полумост. Модули оснащены встроенным в подложку NTC датчиком. Новые приборы обладают низкими значениями RDS(ON) и при этом, в отличии от классических Si IGBT, позволяют работать на высоких частотах. Встроенный в MOSFET структуру обратный диод обладает малым временем обратного восстановления.

Как видно из рисунка ниже, у приборов на основе SiC линейки CoolSiC™, в сравнении с Si IGBT, практически не наблюдается выброс тока при включении и так называемый «токовый хвост» при выключении. При этом отсутствует зависимость энергии потерь от температуры.

Сравнение токов при цикле коммутации IGBT и SiC MOSFET

Сравнение токов при цикле коммутации IGBT и SiC MOSFET

Благодаря малому заряду затвора и низким значениям паразитных емкостей удалось значительно снизить уровень коммутационных потерь, открывая возможность работы на высоких частотах.

Сравнение энергии потерь при включении и выключении IGBT и SiC MOSFET

Сравнение энергии потерь при включении и выключении IGBT и SiC MOSFET

Другим достоинством технологии CoolSiC™ компании Infineon является совместимость уровней напряжения затвора с обычным IGBT (-5,+15 В), что позволяет использовать для управления широкую номенклатуру существующих на данный момент драйверов. Пороговое напряжение затвора выше 4 В обеспечивает достаточную защиту от ложного включения, вызванного паразитными dv/dt в цепи затвора.

Корпус EasyDUAL™ 1B обладает низкой собственной паразитной индуктивностью (9 нГн) и обеспечивает симметричные пути протекания токов от силовых выводов, облегчая, таким образом, параллельное соединение модулей.

Наименование Топология VDSS, В RDS(ON), мОм IDnom, А Корпус
FF11MR12W1M1B11 Полумост с NTC 1200 В 11 100 EasyDUAL 1B
FF23MR12W1M1B11 1200 В 23 50

Особенности MOSFET модулей на 1200 В на основе SiC в корпусе EasyDUAL™ 1B

  • Низкие значения паразитных емкостей;
  • Отсутствие зависимости энергии потерь от температуры;
  • Встроенный обратный диод с малым временем обратного восстановления;
  • Сигналы управления -5 В, +15 В, как у IGBT;
  • Пороговое напряжение затвора >4 В;
  • Устойчивость к токам КЗ, 3мкс;
  • Низкая паразитная индуктивность корпуса;
  • Надежная технология соединения PressFIT;
  • Встроенный NTC.

Целевые применения

  • DC/DC преобразователи с высокой частотой коммутации;
  • Источники бесперебойного питания;
  • Зарядные устройства для батарей, электротранспорта;
  • Инверторы для солнечных батарей.

Материалы по теме

Статьи НЭ

Другие материалы

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Наличие на складах
Наименование
FF23MR12W1M1B11BOMA1 (INFIN)
FF11MR12W1M1B11BOMA1 (INFIN)