1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B

Компания Infineon представила MOSFET модули в корпусе EasyDUAL™ 1B из новой линейки карбид-кремниевых приборов CoolSiC™. Максимальное напряжение сток-исток приборов составляет 1200 В, топология соединения – полумост. Модули оснащены встроенным в подложку NTC датчиком. Новые приборы обладают низкими значениями RDS(ON) и при этом, в отличии от классических Si IGBT, позволяют работать на высоких частотах. Встроенный в MOSFET структуру обратный диод обладает малым временем обратного восстановления.

Как видно из рисунка ниже, у приборов на основе SiC линейки CoolSiC™, в сравнении с Si IGBT, практически не наблюдается выброс тока при включении и так называемый «токовый хвост» при выключении. При этом отсутствует зависимость энергии потерь от температуры.

Сравнение токов при цикле коммутации IGBT и SiC MOSFET

Сравнение токов при цикле коммутации IGBT и SiC MOSFET

Благодаря малому заряду затвора и низким значениям паразитных емкостей удалось значительно снизить уровень коммутационных потерь, открывая возможность работы на высоких частотах.

Сравнение энергии потерь при включении и выключении IGBT и SiC MOSFET

Сравнение энергии потерь при включении и выключении IGBT и SiC MOSFET

Другим достоинством технологии CoolSiC™ компании Infineon является совместимость уровней напряжения затвора с обычным IGBT (-5,+15 В), что позволяет использовать для управления широкую номенклатуру существующих на данный момент драйверов. Пороговое напряжение затвора выше 4 В обеспечивает достаточную защиту от ложного включения, вызванного паразитными dv/dt в цепи затвора.

Корпус EasyDUAL™ 1B обладает низкой собственной паразитной индуктивностью (9 нГн) и обеспечивает симметричные пути протекания токов от силовых выводов, облегчая, таким образом, параллельное соединение модулей.

Наименование Топология VDSS, В RDS(ON), мОм IDnom, А Корпус
FF11MR12W1M1B11 Полумост с NTC 1200 В 11 100 EasyDUAL 1B
FF23MR12W1M1B11 1200 В 23 50

Особенности MOSFET модулей на 1200 В на основе SiC в корпусе EasyDUAL™ 1B

  • Низкие значения паразитных емкостей;
  • Отсутствие зависимости энергии потерь от температуры;
  • Встроенный обратный диод с малым временем обратного восстановления;
  • Сигналы управления -5 В, +15 В, как у IGBT;
  • Пороговое напряжение затвора >4 В;
  • Устойчивость к токам КЗ, 3мкс;
  • Низкая паразитная индуктивность корпуса;
  • Надежная технология соединения PressFIT;
  • Встроенный NTC.

Целевые применения

  • DC/DC преобразователи с высокой частотой коммутации;
  • Источники бесперебойного питания;
  • Зарядные устройства для батарей, электротранспорта;
  • Инверторы для солнечных батарей.

Материалы по теме

Статьи НЭ

Другие материалы

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
FF23MR12W1M1B11BOMA1 (INFIN)
FF11MR12W1M1B11BOMA1 (INFIN)