Новые 650V IGBT c дополнительным выводом эмиттера в корпусе TO-247-4 от Infineon

Компания Infineon представила IGBT транзисторы TRENCHSTOP™ 5-го поколения в новом 4-х выводном корпусе TO-247-4. Четвертый дополнительный вывод является вторым эмиттерным и соединяется непосредственно с драйвером для исключения паразитной индуктивности силового вывода из цепи управления.

IGBT в корпусе TO-247-4 и контур протекания тока управления драйвера

IGBT в корпусе TO-247-4 и контур протекания тока управления драйвера

На рисунке ниже, для сравнения, приведена цепь управления IGBT для корпусов TO-247-3 или TO-220-3 (3-х выв.). Как видно из схемы, в контур протекания тока управления всегда входит паразитная индуктивность Le, создающая дополнительное падение напряжения VLe. Последнее, в свою очередь, оказывает воздействие как на процесс включения, так и на процесс выключения транзистора, создавая дополнительный вклад в коммутационные потери. Данного недостатка лишены новые IGBT в корпусе TO-247-4, позволяющие снизить динамические потери мощности до 20% в сравнении с обычным 3-х выводным корпусом TO-247.

Сравнение процессов включения (a) и выключения (b) IGBT для корпусов TO-247 или TO-220

Сравнение процессов включения (a) и выключения (b) IGBT для корпусов TO-247 или TO-220

Для достижения еще большей эффективности силовой части преобразователя, компанией Infineon были разработаны драйверы затвора линейки EiceDRIVER™ Compact (1EDI и 2EDI), в которых разделены общие провода входной и силовой части, а для открытия и закрытия силового транзистора используются независимые выходы.

Наименование VCE max, В Частота коммутации, кГц IC, TC=100°C, А IF, TC=100°C, А VCE(sat), TJ=25°C, В Корпус
IKZ50N65ES5 650 10 – 40 60,5 60,5 1,35 TO-247-4
IKZ75N65ES5 80 80 1,45
IGZ50N65H5 40 – 100 54 1,65
IGZ75N65H5 75
IGZ100N65H5 101
IKZ50N65EH5 54 50
IKZ50N65NH5 54 54
IKZ75N65EH5 75 85
IKZ75N65NH5 75 73
IKZ75N65EL5 0,05 – 20 100 89 1,1

Особенности 650 В IGBT в корпусе TO-247-4

  • Дополнительный вывод эмиттера для обратной связи драйвера — низкая индуктивность цепи управления;
  • Коммутационные потери на 20% ниже по сравнению с IGBT в корпусе TO-247-3;
  • Наличие изоляционного промежутка К-Э;
  • Максимальная рабочая температура перехода 175°C;
  • Встроенный быстрый антипараллельный диод.

Целевые применения

  • Источники бесперебойного питания;
  • Зарядные устройства для батарей;
  • ИИП промышленного назначения;
  • Сварочные аппараты.

Материалы по теме

 

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование Наличие
IKZ50N65ES5XKSA1 (INFIN) 4 374
IKZ75N65ES5XKSA1 (INFIN) 3 242
IGZ100N65H5XKSA1 (INFIN) 6 296
IGZ75N65H5XKSA1 (INFIN) 6 233
IKZ50N65EH5XKSA1 (INFIN) 4 685
IGZ50N65H5XKSA1 (INFIN) 4 320
IKZ75N65NH5XKSA1 (INFIN) 3 500
IKZ50N65NH5XKSA1 (INFIN) 2 940
IKZ75N65EL5XKSA1 (INFIN) 2 453
IKZ75N65EH5XKSA1 (INFIN) 2 310
Поиск по параметрам
Дискретные IGBT Infineon