Новые 650V IGBT c дополнительным выводом эмиттера в корпусе TO-247-4 от Infineon

Компания Infineon представила IGBT транзисторы TRENCHSTOP™ 5-го поколения в новом 4-х выводном корпусе TO-247-4. Четвертый дополнительный вывод является вторым эмиттерным и соединяется непосредственно с драйвером для исключения паразитной индуктивности силового вывода из цепи управления.

IGBT в корпусе TO-247-4 и контур протекания тока управления драйвера

IGBT в корпусе TO-247-4 и контур протекания тока управления драйвера

На рисунке ниже, для сравнения, приведена цепь управления IGBT для корпусов TO-247-3 или TO-220-3 (3-х выв.). Как видно из схемы, в контур протекания тока управления всегда входит паразитная индуктивность Le, создающая дополнительное падение напряжения VLe. Последнее, в свою очередь, оказывает воздействие как на процесс включения, так и на процесс выключения транзистора, создавая дополнительный вклад в коммутационные потери. Данного недостатка лишены новые IGBT в корпусе TO-247-4, позволяющие снизить динамические потери мощности до 20% в сравнении с обычным 3-х выводным корпусом TO-247.

Сравнение процессов включения (a) и выключения (b) IGBT для корпусов TO-247 или TO-220

Сравнение процессов включения (a) и выключения (b) IGBT для корпусов TO-247 или TO-220

Для достижения еще большей эффективности силовой части преобразователя, компанией Infineon были разработаны драйверы затвора линейки EiceDRIVER™ Compact (1EDI и 2EDI), в которых разделены общие провода входной и силовой части, а для открытия и закрытия силового транзистора используются независимые выходы.

Наименование VCE max, В Частота коммутации, кГц IC, TC=100°C, А IF, TC=100°C, А VCE(sat), TJ=25°C, В Корпус
IKZ50N65ES5 650 10 – 40 60,5 60,5 1,35 TO-247-4
IKZ75N65ES5 80 80 1,45
IGZ50N65H5 40 – 100 54 1,65
IGZ75N65H5 75
IGZ100N65H5 101
IKZ50N65EH5 54 50
IKZ50N65NH5 54 54
IKZ75N65EH5 75 85
IKZ75N65NH5 75 73
IKZ75N65EL5 0,05 – 20 100 89 1,1

Особенности 650 В IGBT в корпусе TO-247-4

  • Дополнительный вывод эмиттера для обратной связи драйвера — низкая индуктивность цепи управления;
  • Коммутационные потери на 20% ниже по сравнению с IGBT в корпусе TO-247-3;
  • Наличие изоляционного промежутка К-Э;
  • Максимальная рабочая температура перехода 175°C;
  • Встроенный быстрый антипараллельный диод.

Целевые применения

  • Источники бесперебойного питания;
  • Зарядные устройства для батарей;
  • ИИП промышленного назначения;
  • Сварочные аппараты.

Материалы по теме

 

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
IKZ50N65ES5XKSA1 (INFIN)
IKZ75N65ES5XKSA1 (INFIN)
IGZ100N65H5XKSA1 (INFIN)
IGZ75N65H5XKSA1 (INFIN)
IKZ75N65NH5XKSA1 (INFIN)
IGZ50N65H5XKSA1 (INFIN)
IKZ50N65EH5XKSA1 (INFIN)
IKZ50N65NH5XKSA1 (INFIN)
IKZ75N65EH5XKSA1 (INFIN)
IKZ75N65EL5XKSA1 (INFIN)
Поиск по параметрам
Дискретные IGBT Infineon