CoolSiC G6 — новое поколение 650V SiC диодов от Infineon

CoolSiC™ G6 — новое (шестое) поколение SiC диодов Шоттки от компании Infineon. Диоды рассчитаны на максимальное напряжение 650 В и доступны в корпусах TO-220 real2pin. До конца года компания планирует расширить семейство CoolSiC™ G6 и другими корпусами.

Новая технология позволяет использовать в производстве более тонкую полупроводниковую пластину, в результате чего значительно снижается прямое падение напряжения на диоде в проводящем состоянии (Vf=1,25 В при TC=25 °C). При этом показатель FOM QCxVf данных диодов остается лучшим в своем классе.

График зависимости прямого падения напряжения от тока через диод для поколений G5 и G6

График зависимости прямого падения напряжения от тока через диод для поколений G5 и G6

Также снижение Vf в новых диодах делает возможным замену, например, 8 А диода поколения G5 на 6 А диод поколения G6. При экономии на стоимости компонента, получается примерно тот же уровень мощности потерь, как видно из рисунка ниже.

6 А диод поколения G6 сравним по потерям с 8 А диодом поколения G6

6 А диод поколения G6 сравним по потерям с 8 А диодом поколения G6

Другой особенностью новых диодов является оптимизация топологии MPS (Merged PIN Schottky) структуры полупроводниковой ячейки, благодаря чему достигается более высокая стойкость к коротким микросекундным токовым перегрузкам.

Совместно с высоковольтными MOSFET линейки CoolMOS™ Infineon диоды G6 составляют основу для построения высокоэффективных компактных источников питания.

Наименование VRRM, В IF, TC=150°C, А QC, нКл VF, IF=Iном, В Корпус
IDH04G65C6 650 В 4 6,9 1,25 TO-220 real2pin
IDH06G65C6 6 9,6
IDH08G65C6 8 12,2
IDH10G65C6 10 14,7
IDH12G65C6 12 17,1
IDH16G65C6 16 21,5
IDH20G65C6 20 26,8

Особенности SiC диодов Шоттки CoolSiC™ G6 на 650 В

  • Самое низкое в своем классе прямое падение напряжения Vf=1,25 В;
  • Лучший в классе показатель FOM QCxVf;
  • Отсутствие заряда обратного восстановления;
  • Стойкость к высоким dv/dt;
  • Меньший уровень мощности потерь благодаря сниженным потерям проводимости.

Целевые применения

  • Высокоэффективные источники питания;
  • Источники бесперебойного питания;
  • Инверторы для солнечных батарей.
Материалы
•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование Наличие
IDH04G65C6XKSA1 (INFIN) 9 402
IDH06G65C6XKSA1 (INFIN) 5 409
IDH10G65C6XKSA1 (INFIN) 5 453
IDH16G65C6XKSA1 (INFIN) 2 985
IDH12G65C6XKSA1 (INFIN) 6 861
IDH20G65C6XKSA1 (INFIN) 4 514
IDH08G65C6XKSA1 (INFIN) 3 950
IDH06G65C6 (INFIN) 0
IDH20G65C6 (INFIN) 0
IDH12G65C6 (INFIN) 0
Поиск по параметрам
SiC диоды Шоттки Infineon