CoolSiC G6 — новое поколение 650V SiC диодов от Infineon

CoolSiC™ G6 — новое (шестое) поколение SiC диодов Шоттки от компании Infineon. Диоды рассчитаны на максимальное напряжение 650 В и доступны в корпусах TO-220 real2pin. До конца года компания планирует расширить семейство CoolSiC™ G6 и другими корпусами.

Новая технология позволяет использовать в производстве более тонкую полупроводниковую пластину, в результате чего значительно снижается прямое падение напряжения на диоде в проводящем состоянии (Vf=1,25 В при TC=25 °C). При этом показатель FOM QCxVf данных диодов остается лучшим в своем классе.

График зависимости прямого падения напряжения от тока через диод для поколений G5 и G6

График зависимости прямого падения напряжения от тока через диод для поколений G5 и G6

Также снижение Vf в новых диодах делает возможным замену, например, 8 А диода поколения G5 на 6 А диод поколения G6. При экономии на стоимости компонента, получается примерно тот же уровень мощности потерь, как видно из рисунка ниже.

6 А диод поколения G6 сравним по потерям с 8 А диодом поколения G6

6 А диод поколения G6 сравним по потерям с 8 А диодом поколения G6

Другой особенностью новых диодов является оптимизация топологии MPS (Merged PIN Schottky) структуры полупроводниковой ячейки, благодаря чему достигается более высокая стойкость к коротким микросекундным токовым перегрузкам.

Совместно с высоковольтными MOSFET линейки CoolMOS™ Infineon диоды G6 составляют основу для построения высокоэффективных компактных источников питания.

Наименование VRRM, В IF, TC=150°C, А QC, нКл VF, IF=Iном, В Корпус
IDH04G65C6 650 В 4 6,9 1,25 TO-220 real2pin
IDH06G65C6 6 9,6
IDH08G65C6 8 12,2
IDH10G65C6 10 14,7
IDH12G65C6 12 17,1
IDH16G65C6 16 21,5
IDH20G65C6 20 26,8

Особенности SiC диодов Шоттки CoolSiC™ G6 на 650 В

  • Самое низкое в своем классе прямое падение напряжения Vf=1,25 В;
  • Лучший в классе показатель FOM QCxVf;
  • Отсутствие заряда обратного восстановления;
  • Стойкость к высоким dv/dt;
  • Меньший уровень мощности потерь благодаря сниженным потерям проводимости.

Целевые применения

  • Высокоэффективные источники питания;
  • Источники бесперебойного питания;
  • Инверторы для солнечных батарей.
Материалы
•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
IDH08G65C6XKSA1 (INFIN)
IDH04G65C6XKSA1 (INFIN)
IDH06G65C6XKSA1 (INFIN)
IDH16G65C6XKSA1 (INFIN)
IDH20G65C6XKSA1 (INFIN)
IDH10G65C6XKSA1 (INFIN)
IDH12G65C6XKSA1 (INFIN)
IDH20G65C6 (INFIN)
IDH04G65C6 (INFIN)
IDH10G65C6 (INFIN)
Поиск по параметрам
SiC диоды Шоттки Infineon