TRENCHSTOP IGBT6 — новое поколение 650V IGBT от Infineon

К разработкам в области частотного привода сегодня предъявляются все возрастающие требования в части повышения компактности изделий и, как следствие, плотности мощности. При этом устройство должно отвечать всем требованиям надежности. Именно для таких применений компания Infineon позиционирует новое поколение дискретных 650 В IGBT 6-го поколения TRENCHSTOP™ IGBT6.

Новые транзисторы предназначены для работы в составе частотного привода мощностью до 1 кВт и работают на частоте до 30 кГц. Первыми выпущены IGBT в корпусе TO-220 Full Pack на токи 8 А,10 А и 15 А, в дальнейшем планируется расширить новую линейку такими корпусами, как TO-220, D²PAK, DPAK и SOT-223.

Соотношение Vce(sat) и Eon & Eoff для разных поколений IGBT Infineon

Соотношение Vce(sat) и Eon & Eoff для разных поколений IGBT Infineon

Особенностью 6-го поколения TRENCHSTOP™ IGBT6 является низкое значение коммутационных потерь, что вместе с быстрым диодом обратного тока позволяет коммутировать транзисторы с частотой до 30 кГц. При этом, как видно из рисунка выше, уровень статических потерь новых IGBT также остается на низком уровне. Также транзисторы выдерживают работу в режиме КЗ в течении 3 мкс.

На рисунке ниже приведено сравнение мощности потерь для трех разных поколений дискретных IGBT, работающих на частоте 10 кГц в составе инвертора мощностью 550 Вт. Как видно из примера, транзисторы TRENCHSTOP™ IGBT6 обеспечивают потери мощности до 20% ниже по сравнению с предыдущими поколениями.

Сравнение мощности потерь для разных поколений IGBT на примере инвертора на 550 Вт

Сравнение мощности потерь для разных поколений IGBT на примере инвертора на 550 Вт

Наименование IC, 100°C, А VCE(sat), В EON, 25° С, мДж EOFF, 25° С, мДж Корпус
IKA08N65ET6 7 1,5 0,11 0,04 TO-220 FP
IKA10N65ET6 9 1,5 0,2 0,07 TO-220 FP
IKA15N65ET6 11 1,5 0,23 0,11 TO-220 FP
IKD06N65ET6* 8 1,5 0,06 0,02 DPAK

*выйдет в 4-м квартале 2018 года

Особенности IGBT линейки TRENCHSTOP IGBT6 на 650 В

  • VCEmax=650 В;
  • Низкое значение VCE(sat)=1,5 В;
  • Низкое значение мощности потерь при работе на частоте до 30 кГц;
  • Стойкость к КЗ в течении 3 мкс;
  • Быстрый диод обратного тока с низким значением Vf.

Целевые применения

  • Частотный привод различного назначения.

Материалы по теме

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование Наличие
IKA08N65ET6XKSA1 (INFIN) 19 957
IKA15N65ET6XKSA1 (INFIN) 0
IKA20N65ET6XKSA1 (INFIN) 0
IKA10N65ET6XKSA1 (INFIN) 0
Поиск по параметрам
Дискретные IGBT Infineon