Новые 1200V SiC MOSFET третьего поколения C3M от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (CREE POWER) продолжает расширять семейство SiC MOSFET третьего поколения C3M, представив транзисторы на 1200 В с сопротивлением канала 75 мОм в корпусах TO-247-4L (C3M0075120K) и TO-263-7L (C3M0075120J).

Приборы оснащены дополнительным выводом эмиттера (т.н. вывод Кельвина), благодаря чему коммутационные потери могут быть значительно снижены. Как видно из рисунка ниже, потери на включение транзистора в трехвыводном корпусе TO-247 и (как следствие) общие динамические потери сильно зависят от тока сток-исток.

Применяя корпуса TO-247-4L и TO-263-7L, можно добиться значительного снижения мощности потерь, особенно, при работе в номинальном режиме. Кроме того, у данных корпусов увеличен изоляционный промежуток между силовыми выводами сток-исток, что позволяет использовать приборы в условиях повышенной загрязнённости среды

Зависимость коммутационных потерь от тока сток-исток для корпусов TO-247 и TO-247-4L

Зависимость коммутационных потерь от тока сток-исток для корпусов TO-247 и TO-247-4L

Новое третье поколение чипов C3M™ отличается меньшим размеров полупроводниковой ячейки, что позволяет снизить сопротивление канала, а также цену конечного продукта. Кроме того, теперь для включения транзистора достаточно напряжения +15 В, что дает возможность использования для управления MOSFET широкой номенклатуры стандартных драйверов. Также была значительно улучшена температурная стабильность сопротивления канала, т.о. позволяя снизить статические потери в рабочем режиме транзистора.

Основные преимущества SiC MOSFET поколения C3M

Основные преимущества SiC MOSFET поколения C3M

Особенности 1200 В SiC MOSFET в корпусах TO-247-4L и TO-263-7L

• Новое поколение кристаллов C3M;
• Корпус с дополнительным выводом истока;
• Увеличенный изоляционный промежуток между стоком и истоком;
• Высокая скорость коммутации и низкие значения паразитных емкостей;
• Быстрый встроенный диод с малым временем обратного восстановления Qrr;
• Малая температурная зависимость Rds(on).

Целевые применения

• Импульсные источники питания;
• Высоковольтные DC/DC преобразователи;
• Зарядные устройства;
• Преобразователи для возобновляемых источников энергии.

•••

Наши информационные каналы

О компании WOLFSPEED (A Cree Company)

Компания Wolfspeed, входящая в структуру CREE Inc., является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов из карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми приборами. Среди них – рабочая температура кристалла до 600°С, высокое быстродействие, радиационная стойкость. В настоящее время Wolfspeed производит высоковольтные SiC ди ...читать далее

Товары
Наименование
C3M0075120J (CREE PWR)
C3M0075120J-TR (CREE PWR)
C3M0075120K (CREE PWR)
C3M0075120K (CREE)
Поиск по параметрам
SiC MOSFET Wolfspeed (CREE POWER)