AOD3N80

ALPHA & OMEGA Semiconductor, Inc.
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= STD2N80K5 (ST)
 
TO252 2500 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
AOD3N80 800V,2.8A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD3N80 has been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular ACDC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability this part can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs. VDS 900V@150℃ ID (at VGS=10V) 2.8A RDS(ON) (at VGS=10V) < 4.8Ω 100% UIS Tested! 100% Rg Tested! TO252 DPAK Top View D Bottom View D D G G S S S G AOD3N80 Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS TC=25°C Continuous Drain CurrentB Pulsed Drain Current TC=100°C C Maximum 800 Units V ±30 V 2.8 ID 1.8 A IDM 9 Avalanche Current C IAR 2.2 A Repetitive avalanche energy C EAR 72 mJ Single pulsed avalanche energy H Peak diode recovery dv/dt TC=25°C Power Dissipation B Derate above 25oC Junction and Storage Temperature Range Maximum lead temperature for soldering purpose, 1/8" from case for 5 seconds EAS dv/dt 145 5 83 mJ V/ns W 0.7 -50 to 150 W/ oC °C 300 °C Thermal Characteristics Parameter Maximum Junction-to-Ambient A,G Maximum Case-to-sink A Maximum Junction-to-CaseD,F Rev.1.0 May 2013 PD TJ, TSTG TL Symbol RθJA RθCS Typical 45 Maximum 55 Units °C/W 1.2 0.5 1.5 °C/W °C/W RθJC www.aosmd.com Page 1 of 6 PDF
Документация на AOD3N80 

AOD3N80_Rev.1.0_Rohsx Keywords:

Дата модификации: 17.07.2013

Размер: 339.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)