C2M0045170D

WOLFSPEED (A Cree Company)
MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C2M0045170D Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET Technology VDS 1700 V ID @ 25˚C 72 A RDS(on) 45 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package High Blocking Voltage with Low On-Resistance High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS Compliant Benefits • • • • TO-247-3 Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequency Applications • • • • • Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC converters Motor Drive Pulsed Power Applications Part Number Package Marking C2M0045170D TO-247-3 C2M0045170 Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Test Conditions VDSmax Drain - Source Voltage 1700 V VGS = 0 V, ID = 100 μA VGSmax Gate - Source Voltage -10/+25 V Absolute maximum values, AC (f >1 Hz) VGSop Gate - Source Voltage -5/+20 V Recommended operational values ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg 1 Parameter 72 48 A VGS =20 V, TC = 25˚C Note Fig. 19 VGS =20 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 160 A Pulse width tP limited by Tjmax Fig. 22 Power Dissipation 520 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C Fig. 20 -40 to +150 ˚C Operating Junction and Storage Temperature TL Solder Temperature 260 ˚C Md Mounting Torque 1 8.8 Nm lbf-in C2M0045170D Rev. -, 06-2016 1.6mm (0.063”) from case for 10s M3 or 6-32 screw PDF
Документация на C2M0045170D 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 14.07.2016

Размер: 1 Мб

10 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    03 марта 2021
    статья

    Двунаправленный DC/DC-преобразователь 22 кВт на базе SiC MOSFET Wolfspeed

    Александр Русу (г. Одесса) Бортовая зарядная система электромобиля должна поддерживать передачу энергии в двух направлениях: из сети в аккумулятор (режим заряда) и из аккумулятора в сеть (режим генератора). Компания Wolfspeed предлагает для этого... ...читать

    19 февраля 2021
    статья

    SiC MOSFET 1700 В как ключевой элемент вспомогательных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Ключевыми особенностями высоковольтных SiC MOSFET Wolfspeed являются малое сопротивление канала в открытом состоянии и минимальное значение паразитных емкостей, что позволяет максимально снизить статические и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD13202Q2 (TI)