C2M1000170J

Транзистор N-МОП, SiC; технология C2M; 1700 В; 5,3 А, 1 Ом, 78 Вт; 7L D2PAK. Технические характеристики: Корпус: 7L D2PAK; Максимальное напряжение сток-исток: 1700 В; Ток стока номинальный при 25°C: 5,3 А; Сопротивление открытого канала: 1 Ом; Заряд затвора: 13 нКл; Рассеиваемая мощность: 78 Вт; Температура перехода: -55...+150 °С.
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= C2M1000170J-TR (CREE PWR) TO2637 5 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на C2M1000170J 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 21.10.2015

Размер: 1.13 Мб

10 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    15 октября
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.