C2M1000170J-TR

WOLFSPEED (A Cree Company)
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид C3M0065090J-TR

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= C2M1000170J (CREE PWR)
 
TO2637 1 шт MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 —

Файлы 1

показать свернуть
C2M1000170J Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET Technology VDS 1700 V ID @ 25˚C 5.3 A RDS(on) 1.0 Ω N-Channel Enhancement Mode Features Package • • • • • • High blocking voltage with low RDS(on) Easy to parallel and simple to drive Low parasitic inductance Separate driver source pin Ultra-low drain-gate capacitance Halogen Free, RoHS compliant TAB Drain Benefits • • • • Drain (TAB) Higher system efficiency Smooth switching waveforms Reduced cooling requirements Increased system reliability 1 2 3 4 5 G DS S S S 7 S Gate (Pin 1) Applications • • • 6 S Driver Source (Pin 2) Auxiliary power supplies Switch Mode Power Supplies High-voltage capacitive loads Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Part Number Package C2M1000170J 7L D2PAK Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Test Conditions VDSmax Drain - Source Voltage 1700 V VGS = 0 V, ID = 100 μA VGSmax Gate - Source Voltage -10/+25 V Absolute maximum values VGSop Gate - Source Voltage -5/+20 V Recommended operational values ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg TL 1 Parameter 5.3 3.6 A VGS = 20 V, TC = 25˚C Note Fig. 19 VGS = 20 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 6.0 A Pulse width tP limited by Tjmax Fig. 22 Power Dissipation 78 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C Fig. 20 -55 to +150 ˚C 260 ˚C Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature C2M1000170J Rev. A, 10-2015 1.6mm (0.063”) from case for 10s PDF
Документация на C2M1000170J 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 21.10.2015

Размер: 1.13 Мб

10 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    03 марта 2021
    статья

    Двунаправленный DC/DC-преобразователь 22 кВт на базе SiC MOSFET Wolfspeed

    Александр Русу (г. Одесса) Бортовая зарядная система электромобиля должна поддерживать передачу энергии в двух направлениях: из сети в аккумулятор (режим заряда) и из аккумулятора в сеть (режим генератора). Компания Wolfspeed предлагает для этого... ...читать

    19 февраля 2021
    статья

    SiC MOSFET 1700 В как ключевой элемент вспомогательных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Ключевыми особенностями высоковольтных SiC MOSFET Wolfspeed являются малое сопротивление канала в открытом состоянии и минимальное значение паразитных емкостей, что позволяет максимально снизить статические и... ...читать

    15 октября 2020
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD13202Q2 (TI)