C3D10170H

WOLFSPEED (A Cree Company)
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1700 В, ток до 14.4 А, с падением напряжения 2 В, ёмкостью перехода 827 пФ, в корпусе TO2472, производства WOLFSPEED (A Cree Company) (CREE PWR)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2472
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3D10170H–Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec™ Rectifier Features • • • • • • • = IF; TC<135˚C Qc = 1700 V = 14.4 A 96 nC Package 1700-Volt Schottky Rectifier Zero Reverse Recovery Current Zero Forward Recovery Voltage High-Frequency Operation Temperature-Independent Switching Behavior Extremely Fast Switching Halogen-Free; RoHS Compliant TO-247-2 Benefits • • • • • VRRM PIN 1 Replace Bipolar with Unipolar Rectifiers Essentially No Switching Losses Higher Efficiency Reduction of Heat Sink Requirements Parallel Devices Without Thermal Runaway CASE PIN 2 Part Number Package Marking C3D10170H TO-247-2 C3D10170 Maximum Ratings Symbol Value Unit Test Conditions VRRM Repetitive Peak Reverse Voltage 1700 V VRSM Surge Peak Reverse Voltage 1700 V VDC DC Blocking Voltage 1700 V Continuous Forward Current 14.4 A TC<135˚C IF D10170H Rev. Datasheet: C3 Parameter IFRM Repetitive Peak Forward Surge Current 45 26 A TC=25˚C, tP=10 ms, Half Sine Wave, D=1 TC=110˚C, tP=10 ms, Half Sine Wave, D=1 IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 55 41 A TC=25˚C, tP=10ms, Half Sine Wave, D=1 TC=110˚C, tP=10 ms, Half Sine Wave, D=1 Ptot Power Dissipation 231 100 W TC=25˚C TC=110˚C Tc Maximum Case Temperature 135 ˚C TJ Operating Junction Range -55 to +175 ˚C Tstg Storage Temperature Range -55 to +135 ˚C 1 8.8 Nm lbf-in TO-247 Mounting Torque Note M3 Screw 6-32 Screw Subject to change without notice. www.cree.com/power 1 PDF
Документация на серию C3D10170H 

Cree C3D25170H Silicon Carbide Schottky Diode - Z-Rec Rectifier

Дата модификации: 30.12.2011

Размер: 530.1 Кб

5 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    24 декабря 2020
    статья

    Карбид-кремниевые диоды компании Wolfspeed

    Александр Русу (г. Одесса) В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид–кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1... ...читать

    02 ноября 2020
    новость

    Силовые компоненты Wolfspeed на основе карбида кремния (SiC) (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном силовым компонентам на основе карбида кремния (SiC) компании Wolfspeed.Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе... ...читать

    05 апреля 2012
    новость

    Новое семейство 1700 В SiC диодов Шоттки от CREE POWER

    Компания CREE представила новую серию диодов Шоттки с высоким обратным напряжением, изготовленные по карбид–кремниевой (SiC) технологии. Новые Z–Rec диоды на напряжении 1700 В позволяют практически исключить потери обратного... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N5711 (ST)