C3M0015065K

C3M0015065K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 650 V ID @ 25˚C 120 A RDS(on) 15 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package C3MTM SiC MOSFET technology Optimized package with separate driver source pin 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitance...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0015065K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 650 V ID @ 25˚C 120 A RDS(on) 15 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package C3MTM SiC MOSFET technology Optimized package with separate driver source pin 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • Drain (Pin 1, TAB) Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Reduce cooling requirements Increase power density Increase system switching frequency Gate (Pin 4) Driver Source (Pin 3) Applications • • • • • EV chargers Solar inverters UPS SMPS DC/DC converters Power Source (Pin 2) Part Number Package Marking C3M0015065K TO 247-4 C3M0015065K Maximum Ratings Symbol Parameter VDSS Drain - Source Voltage, TC = 25 ˚C VGS Gate - Source voltage (Under transient events < 100 ns) ID ID(pulse) PD TJ , Tstg Unit 650 V -8/+19 V Fig. 29 A Fig. 19 Note 1 Continuous Drain Current, VGS = 15 V, TC = 25˚C 120 Continuous Drain Current, VGS = 15 V, TC = 100˚C 96 Pulsed Drain Current, Pulse width tP limited by Tjmax 418 A Power Dissipation, TC=25˚C, TJ = 175 ˚C 416 W -40 to +175 ˚C Operating Junction and Storage Temperature TL Solder Temperature, 1.6mm (0.063”) from case for 10s 260 ˚C Md Mounting Torque, (M3 or 6-32 screw) 1 8.8 Nm lbf-in Note (1): Package limted to 120 A 1 Value C3M0015065K Rev 3, 10-2020 Note Fig. 20 PDF
Документация на C3M0015065K 

Cree C3M0015065K Silicon Carbide MOSFET

Дата модификации: 07.10.2020

Размер: 1.23 Мб

12 стр.

    Публикации 6

    показать свернуть
    24 марта 2022
    статья

    Карбид-кремниевые транзисторы Wolfspeed для источников питания телекоммуникационного оборудования

    Александр Русу (г. Одесса) Расчеты компании Wolfspeed и опорные проекты на их основе показывают, что для выпрямительных устройств, предназначенных для питания телекоммуникационного и компьютерного оборудования, использование высоковольтных... ...читать

    24 февраля 2022
    статья

    Решения для отвода тепла от силовых приборов поверхностного монтажа

    Цзяньвень Шао, Франк Вэй, Синь Чжао, Джеймс Соловей (Wolfspeed) Инженеры компании Wolfspeed на основании проведенного исследования рассказывают, как наиболее оптимально расположить переходные отверстия для отвода тепла от силовых приборов... ...читать

    28 января 2022
    статья

    Применение SiC MOSFET в высокочастотном силовом преобразователе 6,6 кВт с высокой удельной мощностью

    Юэцюань Ху, Цзяньвень Шао, Тейк Сянг Онг (Wolfspeed) Применение полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC) производства Wolfspeed в высокочастотном резонансном LLC‑преобразователе позволяет уменьшить на 50% массогабаритные... ...читать

    15 марта 2021
    новость

    Wolfspeed раскрывает секреты прорывных технологий в силовой электронике

    С тех пор как силовая электроника и преобразовательная техника окончательно утвердились в нашей жизни, эффективное использование электрической энергии превратилось из абстрактного лозунга в насущную необходимость. Требования к преобразователям... ...читать

    05 февраля 2021
    новость

    SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки

    Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET... ...читать

    30 декабря 2020
    статья

    Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.