C3M0015065K

C3M0015065K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 650 V ID @ 25˚C 120 A RDS(on) 15 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package C3MTM SiC MOSFET technology Optimized package with separate driver source pin 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitance...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0015065K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 650 V ID @ 25˚C 120 A RDS(on) 15 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package C3MTM SiC MOSFET technology Optimized package with separate driver source pin 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • Drain (Pin 1, TAB) Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Reduce cooling requirements Increase power density Increase system switching frequency Gate (Pin 4) Driver Source (Pin 3) Applications • • • • • EV chargers Solar inverters UPS SMPS DC/DC converters Power Source (Pin 2) Part Number Package Marking C3M0015065K TO 247-4 C3M0015065K Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 650 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 Note: 3 ID ID(pulse) PD TJ , Tstg Continuous Drain Current 120 A 96 VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 223 A Pulse width tP limited by Tjmax Fig. 22 Power Dissipation 416 W TC=25˚C, TJ = 175 ˚C Fig. 20 -40 to +175 ˚C Operating Junction and Storage Temperature TL Solder Temperature 260 ˚C Md Mounting Torque 1 8.8 Nm lbf-in Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V Note (3): Package limited to 120 A 1 Value C3M0015065K Rev. B, 02-2020 1.6mm (0.063”) from case for 10s M3 or 6-32 screw PDF
Документация на C3M0015065K 

Cree C3M0015065K Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 16.02.2020

Размер: 1.16 Мб

12 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    15 октября
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    09 октября
    новость

    Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

    Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид–кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.