C3M0016120D
C3M0016120D
Silicon Carbide Power MOSFET
TM
C3M MOSFET Technology
VDS
1200 V
ID @ 25˚C
115 A
RDS(on)
16 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
•
•
•
•
•
Package
3rd generation SiC MOSFET technology
High blocking voltage with low on-resistance
High-speed switching with low capacitances
Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
Halogen free, RoHS compliant
Benefits
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: C3M
- Корпус: TO-247-3
- Норма упаковки: 1 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-247-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на C3M0016120D
C3M0016120D SiC MOSFET
Дата модификации: 21.09.2021
Размер: 926.6 Кб
11 стр.
Публикации 6
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.