C3M0021120D
C3M0021120D
Silicon Carbide Power MOSFET
TM
C3M MOSFET Technology
VDS
1200 V
ID @ 25˚C
100 A
RDS(on)
21 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
•
•
•
•
•
Package
3rd generation SiC MOSFET technology
High blocking voltage with low on-resistance
High-speed switching with low capacitances
Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
Halogen free, RoHS compliant
Benefits
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: C3M
- Корпус: TO-247-3
- Норма упаковки: 1 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-247-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на C3M0021120D
C3M0021120D SiC MOSFET *** Do not edit this file ***
Дата модификации: 19.08.2019
Размер: 800 Кб
10 стр.
Публикации 6
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.