C3M0021120D

C3M0021120D Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1200 V ID @ 25˚C 100 A RDS(on) 21 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package 3rd generation SiC MOSFET technology High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0021120D Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1200 V ID @ 25˚C 100 A RDS(on) 21 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package 3rd generation SiC MOSFET technology High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Reduce cooling requirements Increase power density Increase system switching frequency Applications • • • • • Solar inverters EV motor drive High voltage DC/DC converters Switched mode power supplies Load switch Part Number Package Marking C3M0021120D TO 247-3 C3M0021120D Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 1200 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg 100 74 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 200 A Pulse width tP limited by Tjmax Power Dissipation 469 W TC=25˚C, TJ = 175 ˚C -40 to +175 ˚C Operating Junction and Storage Temperature TL Solder Temperature 260 ˚C Md Mounting Torque 1 8.8 Nm lbf-in Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0021120D Rev. -, 08-2019 1.6mm (0.063”) from case for 10s M3 or 6-32 screw Fig. 20 PDF
Документация на C3M0021120D 

C3M0021120D SiC MOSFET *** Do not edit this file ***

Дата модификации: 19.08.2019

Размер: 800 Кб

10 стр.

    Публикации 6

    показать свернуть
    23 декабря
    статья

    Разработка преобразователей на основе карбид-кремниевых приборов с помощью симулятора SpeedFit 2.0

    Компания Wolfspeed разработала бесплатный онлайн симулятор SpeedFit 2.0, позволяющий разработчикам быстро и всесторонне оценить параметры основных процессов, происходящих в силовой части импульсных преобразователей электрической энергии, и... ...читать

    10 декабря 2021
    статья

    Раскрывая секреты: особенности размещения драйверов карбид-кремниевых транзисторов

    Дэйв Скиннер, Юкван Ху (Wolfspeed) В статье приведены советы и рекомендации по проектированию печатных плат преобразователей на основе карбид–кремниевых транзисторов (не только производства Wolfspeed), позволяющие избежать наиболее... ...читать

    15 марта 2021
    новость

    Wolfspeed раскрывает секреты прорывных технологий в силовой электронике

    С тех пор как силовая электроника и преобразовательная техника окончательно утвердились в нашей жизни, эффективное использование электрической энергии превратилось из абстрактного лозунга в насущную необходимость. Требования к преобразователям... ...читать

    03 марта 2021
    статья

    Двунаправленный DC/DC-преобразователь 22 кВт на базе SiC MOSFET Wolfspeed

    Александр Русу (г. Одесса) Бортовая зарядная система электромобиля должна поддерживать передачу энергии в двух направлениях: из сети в аккумулятор (режим заряда) и из аккумулятора в сеть (режим генератора). Компания Wolfspeed предлагает для этого... ...читать

    19 февраля 2021
    статья

    SiC MOSFET 1700 В как ключевой элемент вспомогательных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Ключевыми особенностями высоковольтных SiC MOSFET Wolfspeed являются малое сопротивление канала в открытом состоянии и минимальное значение паразитных емкостей, что позволяет максимально снизить статические и... ...читать

    05 февраля 2021
    новость

    SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки

    Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.