C3M0030090K
C3M0030090K
Silicon Carbide Power MOSFET
TM
C3M MOSFET Technology
VDS
900 V
ID @ 25˚C
63 A
RDS(on)
30 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
•
•
•
•
•
•
•
Package
C3MTM SiC MOSFET technology
Optimized package with separate driver source pin
8mm of creepage distance between drain and source
High blocking voltage with low on-resistance
High-speed switching with low capacitances...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2474
- Норма упаковки: 1 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2474 |
---|
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на C3M0030090K
Cree C3M0030090K Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B
Дата модификации: 25.07.2018
Размер: 1.39 Мб
11 стр.
Публикации 6
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.