C3M0032120K

C3M0032120K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1200 V ID @ 25˚C 63 A RDS(on) 32 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package 3rd generation SiC MOSFET technology Optimized package with separate driver source pin 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low ca...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0032120K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1200 V ID @ 25˚C 63 A RDS(on) 32 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package 3rd generation SiC MOSFET technology Optimized package with separate driver source pin 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant TAB Drain Benefits • • • • • Drain (Pin 1, TAB) Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Reduce cooling requirements Increase power density Increase system switching frequency 1 D 2 3 4 S S G Gate (Pin 4) Driver Source (Pin 3) Applications • • • • • Solar inverters EV motor drive High voltage DC/DC converters Switched mode power supplies Load switch Power Source (Pin 2) Part Number Package Marking C3M0032120K TO 247-4 C3M0032120K Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 1200 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note 2 ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg TL 63 48 A VGS = 15 V, TC = 25˚C VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 120 A Pulse width tP limited by Tjmax Power Dissipation 283 W TC=25˚C, TJ = 175 ˚C -40 to +175 ˚C 260 ˚C Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0032120K Rev. -, 06-2019 1.6mm (0.063”) from case for 10s Fig. 19 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0032120K 

C3M0032120K

Дата модификации: 25.07.2019

Размер: 859 Кб

12 стр.

    Публикации 6

    показать свернуть
    24 марта 2022
    статья

    Карбид-кремниевые транзисторы Wolfspeed для источников питания телекоммуникационного оборудования

    Александр Русу (г. Одесса) Расчеты компании Wolfspeed и опорные проекты на их основе показывают, что для выпрямительных устройств, предназначенных для питания телекоммуникационного и компьютерного оборудования, использование высоковольтных... ...читать

    24 февраля 2022
    статья

    Решения для отвода тепла от силовых приборов поверхностного монтажа

    Цзяньвень Шао, Франк Вэй, Синь Чжао, Джеймс Соловей (Wolfspeed) Инженеры компании Wolfspeed на основании проведенного исследования рассказывают, как наиболее оптимально расположить переходные отверстия для отвода тепла от силовых приборов... ...читать

    23 декабря 2021
    статья

    Разработка преобразователей на основе карбид-кремниевых приборов с помощью симулятора SpeedFit 2.0

    Компания Wolfspeed разработала бесплатный онлайн симулятор SpeedFit 2.0, позволяющий разработчикам быстро и всесторонне оценить параметры основных процессов, происходящих в силовой части импульсных преобразователей электрической энергии, и... ...читать

    10 декабря 2021
    статья

    Раскрывая секреты: особенности размещения драйверов карбид-кремниевых транзисторов

    Дэйв Скиннер, Юкван Ху (Wolfspeed) В статье приведены советы и рекомендации по проектированию печатных плат преобразователей на основе карбид–кремниевых транзисторов (не только производства Wolfspeed), позволяющие избежать наиболее... ...читать

    15 марта 2021
    новость

    Wolfspeed раскрывает секреты прорывных технологий в силовой электронике

    С тех пор как силовая электроника и преобразовательная техника окончательно утвердились в нашей жизни, эффективное использование электрической энергии превратилось из абстрактного лозунга в насущную необходимость. Требования к преобразователям... ...читать

    03 марта 2021
    статья

    Двунаправленный DC/DC-преобразователь 22 кВт на базе SiC MOSFET Wolfspeed

    Александр Русу (г. Одесса) Бортовая зарядная система электромобиля должна поддерживать передачу энергии в двух направлениях: из сети в аккумулятор (режим заряда) и из аккумулятора в сеть (режим генератора). Компания Wolfspeed предлагает для этого... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.