C3M0040120K

C3M0040120K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1200 V ID @ 25˚C 66 A RDS(on) 40 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package 3rd generation SiC MOSFET technology Optimized package with separate driver source pin 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low ca...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0040120K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1200 V ID @ 25˚C 66 A RDS(on) 40 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package 3rd generation SiC MOSFET technology Optimized package with separate driver source pin 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Tab Drain Benefits • • • • • 1 D 2 3 4 S S G Drain (Pin 1, TAB) Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Reduce cooling requirements Increase power density Increase system switching frequency Gate (Pin 4) Driver Source (Pin 3) Applications • • • • • Solar inverters EV motor drive High voltage DC/DC converters Switched mode power supplies Load switch Power Source (Pin 2) Part Number Package Marking C3M0040120K TO 247-4 C3M0040120K Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 1200 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note 2 ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg TL 66 48 A VGS = 15 V, TC = 25˚C VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 100 A Pulse width tP limited by Tjmax Power Dissipation 326 W TC=25˚C, TJ = 175 ˚C -40 to +175 ˚C 260 ˚C Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0040120K Rev. 1, 10-2020 1.6mm (0.063”) from case for 10s Fig. 19 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0040120K 

C3M0040120K

Дата модификации: 23.10.2020

Размер: 1013.7 Кб

12 стр.

    Публикации 6

    показать свернуть
    03 марта 2021
    статья

    Двунаправленный DC/DC-преобразователь 22 кВт на базе SiC MOSFET Wolfspeed

    Александр Русу (г. Одесса) Бортовая зарядная система электромобиля должна поддерживать передачу энергии в двух направлениях: из сети в аккумулятор (режим заряда) и из аккумулятора в сеть (режим генератора). Компания Wolfspeed предлагает для этого... ...читать

    19 февраля 2021
    статья

    SiC MOSFET 1700 В как ключевой элемент вспомогательных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Ключевыми особенностями высоковольтных SiC MOSFET Wolfspeed являются малое сопротивление канала в открытом состоянии и минимальное значение паразитных емкостей, что позволяет максимально снизить статические и... ...читать

    05 февраля 2021
    новость

    SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки

    Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET... ...читать

    18 ноября 2020
    статья

    Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД

    Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид–кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только... ...читать

    02 ноября 2020
    новость

    Силовые компоненты Wolfspeed на основе карбида кремния (SiC) (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном силовым компонентам на основе карбида кремния (SiC) компании Wolfspeed.Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе... ...читать

    15 октября 2020
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.