C3M0060065D

WOLFSPEED
VDS C3M0060065D Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology 650 V ID @ 25˚C 37 A RDS(on) 60 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package 3rd Generation SiC MOSFET technology High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits •...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
VDS C3M0060065D Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology 650 V ID @ 25˚C 37 A RDS(on) 60 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package 3rd Generation SiC MOSFET technology High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • • Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Easy to parallel and simple to drive Enable new hard switching PFC topologies (Totem-Pole) Applications • • • • • EV charging Server power supplies Solar PV inverters UPS DC/DC converters Part Number Package Marking C3M0060065D TO-247-3 C3M0060065D Maximum Ratings Symbol VDSS Drain - Source Voltage, TC = 25 ˚C VGS Gate - Source voltage (Under transient events < 100 ns) ID ID(pulse) PD TJ , Tstg 1 Parameter Value Unit 650 V -8/+19 V Fig. 29 A Fig. 19 Continuous Drain Current, VGS = 15 V, TC = 25˚C 37 Continuous Drain Current, VGS = 15 V, TC = 100˚C 27 Pulsed Drain Current, Pulse width tP limited by Tjmax 99 A Power Dissipation, TC=25˚C, TJ = 175 ˚C 150 W -40 to +175 ˚C Operating Junction and Storage Temperature TL Solder Temperature, 1.6mm (0.063”) from case for 10s 260 ˚C Md Mounting Torque, (M3 or 6-32 screw) 1 8.8 Nm lbf-in C3M0060065D Rev. 3, 07-2020 Note Fig. 20 PDF
Документация на C3M0060065D 

Cree C3M0060065D Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 24.07.2020

Размер: 1.08 Мб

11 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    24 марта 2022
    статья

    Карбид-кремниевые транзисторы Wolfspeed для источников питания телекоммуникационного оборудования

    Александр Русу (г. Одесса) Расчеты компании Wolfspeed и опорные проекты на их основе показывают, что для выпрямительных устройств, предназначенных для питания телекоммуникационного и компьютерного оборудования, использование высоковольтных... ...читать

    24 февраля 2022
    статья

    Решения для отвода тепла от силовых приборов поверхностного монтажа

    Цзяньвень Шао, Франк Вэй, Синь Чжао, Джеймс Соловей (Wolfspeed) Инженеры компании Wolfspeed на основании проведенного исследования рассказывают, как наиболее оптимально расположить переходные отверстия для отвода тепла от силовых приборов... ...читать

    28 января 2022
    статья

    Применение SiC MOSFET в высокочастотном силовом преобразователе 6,6 кВт с высокой удельной мощностью

    Юэцюань Ху, Цзяньвень Шао, Тейк Сянг Онг (Wolfspeed) Применение полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC) производства Wolfspeed в высокочастотном резонансном LLC‑преобразователе позволяет уменьшить на 50% массогабаритные... ...читать

    23 декабря 2021
    статья

    Разработка преобразователей на основе карбид-кремниевых приборов с помощью симулятора SpeedFit 2.0

    Компания Wolfspeed разработала бесплатный онлайн симулятор SpeedFit 2.0, позволяющий разработчикам быстро и всесторонне оценить параметры основных процессов, происходящих в силовой части импульсных преобразователей электрической энергии, и... ...читать

    10 декабря 2021
    статья

    Раскрывая секреты: особенности размещения драйверов карбид-кремниевых транзисторов

    Дэйв Скиннер, Юкван Ху (Wolfspeed) В статье приведены советы и рекомендации по проектированию печатных плат преобразователей на основе карбид–кремниевых транзисторов (не только производства Wolfspeed), позволяющие избежать наиболее... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)