C3M0060065J

VDS C3M0060065J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology 650 V ID @ 25˚C 36 A RDS(on) 60 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology Low inductance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with l...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
VDS C3M0060065J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology 650 V ID @ 25˚C 36 A RDS(on) 60 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology Low inductance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • • 1 2 3 G KS S Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Easy to parallel and simple to drive Enable new hard switching PFC topologies (Totem-Pole) 4 5 S S 6 S Drain (TAB) 7 S Gate (Pin 1) Driver Source (Pin 2) Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Applications • • • • • EV charging Server power supplies Solar PV inverters UPS DC/DC converters Part Number Package Marking C3M0060065J TO-263-7 C3M0060065J Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 650 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg TL 36 26 A VGS = 15 V, TC = 25˚C VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 53 A Pulse width tP limited by Tjmax Power Dissipation 136 W TC=25˚C, TJ = 175 ˚C -40 to +175 ˚C 260 ˚C Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0060065J Rev. B, 02-2020 1.6mm (0.063”) from case for 10s Fig. 19 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0060065J 

Cree C3M0060065J Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 12.02.2020

Размер: 983.2 Кб

11 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    15 октября
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    09 октября
    новость

    Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

    Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид–кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.