C3M0060065J

VDS C3M0060065J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology 650 V ID @ 25˚C 36 A RDS(on) 60 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology Low inductance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with l...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
VDS C3M0060065J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology 650 V ID @ 25˚C 36 A RDS(on) 60 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology Low inductance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • • 1 2 3 G KS S Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Easy to parallel and simple to drive Enable new hard switching PFC topologies (Totem-Pole) 4 5 S S 6 S Drain (TAB) 7 S Gate (Pin 1) Driver Source (Pin 2) Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Applications • • • • • EV charging Server power supplies Solar PV inverters UPS DC/DC converters Part Number Package Marking C3M0060065J TO-263-7 C3M0060065J Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 650 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg TL 36 26 A VGS = 15 V, TC = 25˚C VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 53 A Pulse width tP limited by Tjmax Power Dissipation 136 W TC=25˚C, TJ = 175 ˚C -40 to +175 ˚C 260 ˚C Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0060065J Rev. B, 02-2020 1.6mm (0.063”) from case for 10s Fig. 19 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0060065J 

Cree C3M0060065J Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 12.02.2020

Размер: 983.2 Кб

11 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    30 декабря
    статья

    Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности... ...читать

    18 ноября 2020
    статья

    Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД

    Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид–кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только... ...читать

    02 ноября 2020
    новость

    Силовые компоненты Wolfspeed на основе карбида кремния (SiC) (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном силовым компонентам на основе карбида кремния (SiC) компании Wolfspeed.Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе... ...читать

    09 октября 2020
    новость

    Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

    Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид–кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.