C3M0060065K

C3M0060065K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 650 V ID @ 25˚C 37 A RDS(on) 60 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Be...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-4
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0060065K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 650 V ID @ 25˚C 37 A RDS(on) 60 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • • Drain (Pin 1, TAB) Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Easy to parallel and simple to drive Enable new hard switching PFC topologies (Totem-Pole) 1 D 2 3 4 S S G Gate (Pin 4) Driver Source (Pin 3) Applications • • • • • EV charging Server power supplies Solar PV inverters UPS DC/DC converters Power Source (Pin 2) Part Number Package Marking C3M0060065K TO-247-4 C3M0060065K Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 650 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg 37 27 A VGS = 15 V, TC = 25˚C VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 53 A Pulse width tP limited by Tjmax Power Dissipation 150 W TC=25˚C, TJ = 175 ˚C -40 to +175 ˚C Operating Junction and Storage Temperature TL Solder Temperature 260 ˚C Md Mounting Torque 1 8.8 Nm lbf-in Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0060065K Rev. B, 02-2020 1.6mm (0.063”) from case for 10s M3 or 6-32 screw Fig. 19 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0060065K 

Cree C3M0060065K Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 13.02.2020

Размер: 1.01 Мб

12 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    15 марта 2021
    новость

    Wolfspeed раскрывает секреты прорывных технологий в силовой электронике

    С тех пор как силовая электроника и преобразовательная техника окончательно утвердились в нашей жизни, эффективное использование электрической энергии превратилось из абстрактного лозунга в насущную необходимость. Требования к преобразователям... ...читать

    05 февраля 2021
    новость

    SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки

    Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET... ...читать

    30 декабря 2020
    статья

    Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности... ...читать

    18 ноября 2020
    статья

    Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД

    Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид–кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только... ...читать

    09 октября 2020
    новость

    Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

    Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид–кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.