C3M0060065K

C3M0060065K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 650 V ID @ 25˚C 37 A RDS(on) 60 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Be...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-4
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0060065K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 650 V ID @ 25˚C 37 A RDS(on) 60 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • • Drain (Pin 1, TAB) Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Easy to parallel and simple to drive Enable new hard switching PFC topologies (Totem-Pole) 1 D 2 3 4 S S G Gate (Pin 4) Driver Source (Pin 3) Applications • • • • • EV charging Server power supplies Solar PV inverters UPS DC/DC converters Power Source (Pin 2) Part Number Package Marking C3M0060065K TO-247-4 C3M0060065K Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 650 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg 37 27 A VGS = 15 V, TC = 25˚C VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 53 A Pulse width tP limited by Tjmax Power Dissipation 150 W TC=25˚C, TJ = 175 ˚C -40 to +175 ˚C Operating Junction and Storage Temperature TL Solder Temperature 260 ˚C Md Mounting Torque 1 8.8 Nm lbf-in Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0060065K Rev. B, 02-2020 1.6mm (0.063”) from case for 10s M3 or 6-32 screw Fig. 19 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0060065K 

Cree C3M0060065K Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 12.02.2020

Размер: 1.01 Мб

12 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    15 октября
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    09 октября
    новость

    Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

    Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид–кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.