C3M0065090D
Транзистор N-МОП, SiC; технология C3M; 900 В; 36 А, 65 мОм, 125 Вт; TO-247-3. Технические характеристики: Корпус: TO-247-3; Максимальное напряжение сток-исток: 900 В; Ток стока номинальный при 25°C: 36 А; Сопротивление открытого канала: 65 Ом; Заряд затвора: 30 нКл; Рассеиваемая мощность: 125 Вт; Температура перехода: -55...+150 °С.
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: C3M
- Корпус: TO-247-3
- Норма упаковки: 1 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-247-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на C3M0065090D
C3M0065090D Silicon Carbide MOSFET
Дата модификации: 31.05.2019
Размер: 742.7 Кб
10 стр.
Публикации 5
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.