C3M0065090D

Транзистор N-МОП, SiC; технология C3M; 900 В; 36 А, 65 мОм, 125 Вт; TO-247-3. Технические характеристики: Корпус: TO-247-3; Максимальное напряжение сток-исток: 900 В; Ток стока номинальный при 25°C: 36 А; Сопротивление открытого канала: 65 Ом; Заряд затвора: 30 нКл; Рассеиваемая мощность: 125 Вт; Температура перехода: -55...+150 °С.
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0065090D Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 900 V ID @ 25˚C 36 A RDS(on) 65 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Applications • • • • Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Part Number Package Marking C3M0065090D TO-247-3 C3M0065090 Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 900 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID Continuous Drain Current ID(pulse) 36 23 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 90 A EAS Avalanche energy, Single pulse 110 mJ ID = 22A, VDD = 50V PD Power Dissipation 125 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C -55 to +150 ˚C TJ , Tstg Operating Junction and Storage Temperature TL Solder Temperature 260 ˚C Md Mounting Torque 1 8.8 Nm lbf-in Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0065090D Rev. B, 03-2017 Pulse width tP limited by Tjmax 1.6mm (0.063”) from case for 10s M3 or 6-32 screw Fig. 22 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0065090D 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 23.03.2017

Размер: 1010.6 Кб

10 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    19 июля 2017
    новость

    Первый в мире 1000V SiC MOSFET

    Являясь пионером в области карбид–кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.