C3M0065090D

Транзистор N-МОП, SiC; технология C3M; 900 В; 36 А, 65 мОм, 125 Вт; TO-247-3. Технические характеристики: Корпус: TO-247-3; Максимальное напряжение сток-исток: 900 В; Ток стока номинальный при 25°C: 36 А; Сопротивление открытого канала: 65 Ом; Заряд затвора: 30 нКл; Рассеиваемая мощность: 125 Вт; Температура перехода: -55...+150 °С.
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- C3M0065100K (CREE PWR) TO2474 в линейках 30 шт 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET

Файлы 1

показать свернуть
C3M0065090D Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 900 V ID @ 25˚C 36 A RDS(on) 65 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Applications • • • • Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Part Number Package Marking C3M0065090D TO-247-3 C3M0065090 Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 900 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID Continuous Drain Current ID(pulse) 36 23 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 90 A EAS Avalanche energy, Single pulse 110 mJ ID = 22A, VDD = 50V PD Power Dissipation 125 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C -55 to +150 ˚C TJ , Tstg Operating Junction and Storage Temperature TL Solder Temperature 260 ˚C Md Mounting Torque 1 8.8 Nm lbf-in Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0065090D Rev. B, 03-2017 Pulse width tP limited by Tjmax 1.6mm (0.063”) from case for 10s M3 or 6-32 screw Fig. 22 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0065090D 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 23.03.2017

Размер: 1010.6 Кб

10 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    30 декабря
    статья

    Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности... ...читать

    03 ноября 2020
    статья

    900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

    Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того... ...читать

    02 ноября 2020
    новость

    Силовые компоненты Wolfspeed на основе карбида кремния (SiC) (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном силовым компонентам на основе карбида кремния (SiC) компании Wolfspeed.Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе... ...читать

    09 октября 2020
    новость

    Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

    Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид–кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является... ...читать

    19 июля 2017
    новость

    Первый в мире 1000V SiC MOSFET

    Являясь пионером в области карбид–кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.