C3M0065090J

Транзистор N-МОП, SiC; технология C3M; 900 В; 35 А, 65 мОм, 113 Вт; 7L D2PAK. Технические характеристики: Корпус: 7L D2PAK; Максимальное напряжение сток-исток: 900 В; Ток стока номинальный при 25°C: 35 А; Сопротивление открытого канала: 65 Ом; Заряд затвора: 30 нКл; Рассеиваемая мощность: 113 Вт; Температура перехода: -55...+150 °С.
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0065090J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 900 V ID @ 25˚C 35 A RDS(on) 65 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package TAB Drain New C3M SiC MOSFET technology New low impedance package with driver source pin High blocking voltage with low On-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Low output capacitance (60pF) Halogen free, RoHS compliant Wide creepage (~7mm) between drain and source Benefits • • • • Drain (TAB) 1 2 3 4 5 G DS S S S Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Increase power density Increase system switching frequency 6 S 7 S Gate (Pin 1) Applications • • • • Driver Source (Pin 2) Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Part Number Package C3M0065090J TO-263-7 Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Unit Test Conditions 900 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note. 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note. 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID ID(pulse) Continuous Drain Current 22 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 90 A EAS Avalanche energy, Single pulse 110 mJ ID = 22A, VDD = 50V PD Power Dissipation 113 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C -55 to +150 ˚C 260 ˚C TJ , Tstg TL Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 35 C3M0065090J Rev. D, 06-2019 Pulse width tP limited by Tjmax 1.6mm (0.063”) from case for 10s Fig. 22 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0065090J 

C3M0065090J SiC MOSFET

Дата модификации: 31.05.2019

Размер: 928.9 Кб

10 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    24 марта 2022
    статья

    Карбид-кремниевые транзисторы Wolfspeed для источников питания телекоммуникационного оборудования

    Александр Русу (г. Одесса) Расчеты компании Wolfspeed и опорные проекты на их основе показывают, что для выпрямительных устройств, предназначенных для питания телекоммуникационного и компьютерного оборудования, использование высоковольтных... ...читать

    24 февраля 2022
    статья

    Решения для отвода тепла от силовых приборов поверхностного монтажа

    Цзяньвень Шао, Франк Вэй, Синь Чжао, Джеймс Соловей (Wolfspeed) Инженеры компании Wolfspeed на основании проведенного исследования рассказывают, как наиболее оптимально расположить переходные отверстия для отвода тепла от силовых приборов... ...читать

    30 декабря 2020
    статья

    Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности... ...читать

    03 ноября 2020
    статья

    900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

    Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того... ...читать

    09 октября 2020
    новость

    Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

    Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид–кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.