C3M0065090J

Транзистор N-МОП, SiC; технология C3M; 900 В; 35 А, 65 мОм, 113 Вт; 7L D2PAK. Технические характеристики: Корпус: 7L D2PAK; Максимальное напряжение сток-исток: 900 В; Ток стока номинальный при 25°C: 35 А; Сопротивление открытого канала: 65 Ом; Заряд затвора: 30 нКл; Рассеиваемая мощность: 113 Вт; Температура перехода: -55...+150 °С.
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= C3M0065090J-TR (CREE PWR) TO2637 MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

Файлы 1

показать свернуть
C3M0065090J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 900 V ID @ 25˚C 35 A RDS(on) 65 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package New C3M SiC MOSFET technology New low impedance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low On-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Low output capacitance (60pF) Halogen free, RoHS compliant TAB Drain Benefits • • • • Drain (TAB) Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Increase power density Increase system switching frequency 1 2 3 4 5 G DS S S S 6 S 7 S Gate (Pin 1) Applications • • • • Driver Source (Pin 2) Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Part Number Package Marking C3M0065090J 7L D2PAK C3M0065090J Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Unit Test Conditions 900 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note. 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note. 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID ID(pulse) Continuous Drain Current 22 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 90 A EAS Avalanche energy, Single pulse 110 mJ ID = 22A, VDD = 50V PD Power Dissipation 113 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C -55 to +150 ˚C 260 ˚C TJ , Tstg TL Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 35 C3M0065090J Rev. B, 10-2016 Pulse width tP limited by Tjmax 1.6mm (0.063”) from case for 10s Fig. 22 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0065090J 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 13.10.2016

Размер: 1.18 Мб

10 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    30 декабря
    статья

    Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности... ...читать

    03 ноября 2020
    статья

    900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

    Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того... ...читать

    15 октября 2020
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    12 октября 2018
    статья

    Ускоряем внедрение силовых SiC-транзисторов

    На протяжении многих лет мы слышим о широкозонных полупроводниках, о планах по их развитию и о появлении новых решений. При этом нам обещают совершенно удивительные возможности. Однако проектирование реальных устройств – это далеко не презентации... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.