C3M0065090J-TR

MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= C3M0065090J (CREE PWR) TO2637 1 шт MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

Файлы 1

показать свернуть
C3M0065090J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 900 V ID @ 25˚C 35 A RDS(on) 65 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package New C3M SiC MOSFET technology New low impedance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low On-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Low output capacitance (60pF) Halogen free, RoHS compliant TAB Drain Benefits • • • • Drain (TAB) Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Increase power density Increase system switching frequency 1 2 3 4 5 G DS S S S 6 S 7 S Gate (Pin 1) Applications • • • • Driver Source (Pin 2) Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Part Number Package Marking C3M0065090J 7L D2PAK C3M0065090J Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Unit Test Conditions 900 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note. 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note. 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID ID(pulse) Continuous Drain Current 22 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 90 A EAS Avalanche energy, Single pulse 110 mJ ID = 22A, VDD = 50V PD Power Dissipation 113 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C -55 to +150 ˚C 260 ˚C TJ , Tstg TL Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 35 C3M0065090J Rev. B, 10-2016 Pulse width tP limited by Tjmax 1.6mm (0.063”) from case for 10s Fig. 22 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0065090J 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 13.10.2016

Размер: 1.18 Мб

10 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    12 октября 2018
    статья

    Ускоряем внедрение силовых SiC-транзисторов

    На протяжении многих лет мы слышим о широкозонных полупроводниках, о планах по их развитию и о появлении новых решений. При этом нам обещают совершенно удивительные возможности. Однако проектирование реальных устройств – это далеко не презентации... ...читать

    19 июля 2017
    новость

    Первый в мире 1000V SiC MOSFET

    Являясь пионером в области карбид–кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.