C3M0065100K

1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-4 TO-247-4L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- C3M0065090D (CREE PWR) TO-247-3 1 шт MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

Файлы 1

показать свернуть
C3M0065100K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1000 V ID @ 25˚C 35 A RDS(on) 65 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package New C3MTM SiC MOSFET technology Optimized package with separate driver source pin 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant TAB Drain Benefits • • • • • Drain (Pin 1, TAB) Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Reduce cooling requirements Increase power density Increase system switching frequency 1 D 2 3 4 S S G Gate (Pin 4) Driver Source (Pin 3) Applications • • • • Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Power Source (Pin 2) Part Number Package Marking C3M0065100K TO 247-4 C3M0065100K Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 1000 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID ID(pulse) Continuous Drain Current 35 22.5 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 90 A EAS Avalanche energy, Single pulse 110 mJ ID = 22A, VDD = 50V PD Power Dissipation 113.5 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C Operating Junction and Storage Temperature -55 to +150 ˚C 260 ˚C TJ , Tstg TL Solder Temperature Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0065100K Rev. -, 09-2016 Pulse width tP limited by Tjmax 1.6mm (0.063”) from case for 10s Fig. 22 Fig. 20 PDF
Документация на C3M0065100K 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 25.09.2016

Размер: 1.19 Мб

11 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    12 октября 2018
    статья

    Ускоряем внедрение силовых SiC-транзисторов

    На протяжении многих лет мы слышим о широкозонных полупроводниках, о планах по их развитию и о появлении новых решений. При этом нам обещают совершенно удивительные возможности. Однако проектирование реальных устройств – это далеко не презентации... ...читать

    19 июля 2017
    новость

    Первый в мире 1000V SiC MOSFET

    Являясь пионером в области карбид–кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.