C3M0065100K
Транзистор N-МОП, SiC; технология C3M; 1000 В; 35 А, 65 мОм, 113,5 Вт; TO-247-4. Технические характеристики: Корпус: TO-247-4; Максимальное напряжение сток-исток: 1000 В; Ток стока номинальный при 25°C: 35 А; Сопротивление открытого канала: 65 Ом; Заряд затвора: 35 нКл; Рассеиваемая мощность: 113,5 Вт; Температура перехода: -55...+150 °С.
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: C3M
- Корпус: TO2474
- Норма упаковки: 30 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2474 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на C3M0065100K
Cree C3M0065100K Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B
Дата модификации: 08.09.2020
Размер: 968.4 Кб
11 стр.
Публикации 3
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.