C3M0075120D

C3M0075120D Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1200 V ID @ 25˚C 30 A RDS(on) 75 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package C3MTM SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0075120D Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1200 V ID @ 25˚C 30 A RDS(on) 75 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package C3MTM SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Applications • • • • Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Part Number Package Marking C3M0075120D TO-247-3 C3M0075120 Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 1200 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID Continuous Drain Current ID(pulse) Pulsed Drain Current PD TJ , Tstg 30 19.7 A VGS = 15 V, TC = 100˚C 80 A Pulse width tP limited by Tjmax Fig. 22 Power Dissipation 113.6 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C Fig. 20 Operating Junction and Storage Temperature -55 to +150 ˚C TL Solder Temperature 260 ˚C Md Mounting Torque 1 8.8 Nm lbf-in Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0075120D Rev. A, 02-2019 1.6mm (0.063”) from case for 10s M3 or 6-32 screw PDF
Документация на C3M0075120D 

Cree C3M0075120D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 13.02.2019

Размер: 870.2 Кб

10 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    24 марта 2022
    статья

    Карбид-кремниевые транзисторы Wolfspeed для источников питания телекоммуникационного оборудования

    Александр Русу (г. Одесса) Расчеты компании Wolfspeed и опорные проекты на их основе показывают, что для выпрямительных устройств, предназначенных для питания телекоммуникационного и компьютерного оборудования, использование высоковольтных... ...читать

    24 февраля 2022
    статья

    Решения для отвода тепла от силовых приборов поверхностного монтажа

    Цзяньвень Шао, Франк Вэй, Синь Чжао, Джеймс Соловей (Wolfspeed) Инженеры компании Wolfspeed на основании проведенного исследования рассказывают, как наиболее оптимально расположить переходные отверстия для отвода тепла от силовых приборов... ...читать

    15 марта 2021
    новость

    Wolfspeed раскрывает секреты прорывных технологий в силовой электронике

    С тех пор как силовая электроника и преобразовательная техника окончательно утвердились в нашей жизни, эффективное использование электрической энергии превратилось из абстрактного лозунга в насущную необходимость. Требования к преобразователям... ...читать

    03 марта 2021
    статья

    Двунаправленный DC/DC-преобразователь 22 кВт на базе SiC MOSFET Wolfspeed

    Александр Русу (г. Одесса) Бортовая зарядная система электромобиля должна поддерживать передачу энергии в двух направлениях: из сети в аккумулятор (режим заряда) и из аккумулятора в сеть (режим генератора). Компания Wolfspeed предлагает для этого... ...читать

    19 февраля 2021
    статья

    SiC MOSFET 1700 В как ключевой элемент вспомогательных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Ключевыми особенностями высоковольтных SiC MOSFET Wolfspeed являются малое сопротивление канала в открытом состоянии и минимальное значение паразитных емкостей, что позволяет максимально снизить статические и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.