C3M0075120J
C3M0075120J
Silicon Carbide Power MOSFET
TM
C3M MOSFET Technology
VDS
1200 V
ID @ 25˚C
30 A
RDS(on)
75 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
•
•
•
•
•
•
•
Package
3rd generation SiC MOSFET technology
Low impedance package with driver source pin
7mm of creepage distance between drain and source
High blocking voltage with low on-resistance
High-speed switching with low capacit...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: C3M
- Корпус: TO2637
- Норма упаковки: 100 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2637 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | C3M0075120J-TR (CREE PWR) | TO2637 |
| — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на C3M0075120J
Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B
Дата модификации: 17.08.2020
Размер: 1003.5 Кб
10 стр.
Публикации 5
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.