C3M0075120J-TR

C3M0075120J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1200 V ID @ 25˚C 30 A RDS(on) 75 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package 3rd generation SiC MOSFET technology Low impedance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacit...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= C3M0075120J (CREE PWR) TO2637 в линейках 100 шт

Файлы 1

показать свернуть
C3M0075120J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1200 V ID @ 25˚C 30 A RDS(on) 75 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package 3rd generation SiC MOSFET technology Low impedance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant TAB Drain 1 2 3 4 5 G KS S S S Benefits • • • • • 6 S 7 S Drain (TAB) Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Reduce cooling requirements Increase power density Increase system switching frequency Gate (Pin 1) Driver Source (Pin 2) Applications • • • • Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Part Number Package Marking C3M0075120J TO-263-7 C3M0075120J Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit 1200 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Test Conditions Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID ID(pulse) PD TJ , Tstg TL Continuous Drain Current Pulsed Drain Current 30 19.7 A VGS = 15 V, TC = 100˚C 80 A Pulse width tP limited by Tjmax Fig. 22 Power Dissipation 113.6 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C Fig. 20 Operating Junction and Storage Temperature -55 to +150 ˚C 260 ˚C Solder Temperature Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0075120J Rev. B, 07-2019 1.6mm (0.063”) from case for 10s PDF
Документация на C3M0075120J 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 17.08.2020

Размер: 1003.5 Кб

10 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    15 октября
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.