C3M0075120K

MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0075120K Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1200 V ID @ 25˚C 30 A RDS(on) 75 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package C3MTM SiC MOSFET technology Optimized package with separate driver source pin 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant TAB Drain Benefits • • • • • Drain (Pin 1, TAB) Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Reduce cooling requirements Increase power density Increase system switching frequency 1 D 2 3 4 S S G Gate (Pin 4) Driver Source (Pin 3) Applications • • • • Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Power Source (Pin 2) Part Number Package Marking C3M0075120K TO 247-4 C3M0075120K Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 1200 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID ID(pulse) PD TJ , Tstg TL Continuous Drain Current Pulsed Drain Current 30 19.7 A VGS = 15 V, TC = 100˚C 80 A Pulse width tP limited by Tjmax Fig. 22 Power Dissipation 113.6 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C Fig. 20 Operating Junction and Storage Temperature -55 to +150 ˚C 260 ˚C Solder Temperature Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0075120K Rev. A, 02-2017 1.6mm (0.063”) from case for 10s PDF
Документация на C3M0075120K 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 08.02.2017

Размер: 1.18 Мб

11 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    15 марта 2021
    новость

    Wolfspeed раскрывает секреты прорывных технологий в силовой электронике

    С тех пор как силовая электроника и преобразовательная техника окончательно утвердились в нашей жизни, эффективное использование электрической энергии превратилось из абстрактного лозунга в насущную необходимость. Требования к преобразователям... ...читать

    03 марта 2021
    статья

    Двунаправленный DC/DC-преобразователь 22 кВт на базе SiC MOSFET Wolfspeed

    Александр Русу (г. Одесса) Бортовая зарядная система электромобиля должна поддерживать передачу энергии в двух направлениях: из сети в аккумулятор (режим заряда) и из аккумулятора в сеть (режим генератора). Компания Wolfspeed предлагает для этого... ...читать

    19 февраля 2021
    статья

    SiC MOSFET 1700 В как ключевой элемент вспомогательных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Ключевыми особенностями высоковольтных SiC MOSFET Wolfspeed являются малое сопротивление канала в открытом состоянии и минимальное значение паразитных емкостей, что позволяет максимально снизить статические и... ...читать

    03 ноября 2020
    статья

    900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

    Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того... ...читать

    15 октября 2020
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.