C3M0120065J
VDS
C3M0120065J
Silicon Carbide Power MOSFET
TM
C3M MOSFET Technology
650 V
ID @ 25˚C
21 A
RDS(on)
120 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
•
•
•
•
•
•
•
Package
TAB
Drain
3rd Generation SiC MOSFET technology
Low inductance package with driver source pin
7mm of creepage distance between drain and source
High blocking voltage with low on-resistance
High speed switching with ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: C3M
- Корпус: TO2637
- Норма упаковки: 90 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2637 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на C3M0120065J
Cree C3M0120065J Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B
Дата модификации: 14.01.2021
Размер: 1.11 Мб
11 стр.
Публикации 3
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.