C3M0120065J

VDS C3M0120065J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology 650 V ID @ 25˚C 21 A RDS(on) 120 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology Low inductance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
VDS C3M0120065J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology 650 V ID @ 25˚C 21 A RDS(on) 120 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology Low inductance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • • Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Easy to parallel and simple to drive Enable new hard switching PFC topologies (Totem-Pole) 1 2 3 G KS S 4 5 S S 6 S Gate (Pin 1) Driver Source (Pin 2) Applications • • • • • Solar inverters DC/DC converters Switch Mode Power Supplies EV battery chargers UPS Drain (TAB) 7 S Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Part Number Package Marking C3M0120065J TO-263-7 C3M0120065J Maximum Ratings Symbol VDSS Drain - Source Voltage, TC = 25 ˚C VGS Gate - Source voltage (Under transient events < 100 ns) ID ID(pulse) PD TJ , Tstg TL 1 Parameter Value Unit 650 V -8/+19 V Fig. 28 A Fig. 19 Continuous Drain Current, VGS = 15 V, TC = 25˚C 21 Continuous Drain Current, VGS = 15 V, TC = 100˚C 15 Pulsed Drain Current, Pulse width tP limited by Tjmax 51 A Power Dissipation, TC=25˚C, TJ = 175 ˚C 86 W -40 to +175 ˚C 260 ˚C Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature, 1.6mm (0.063”) from case for 10s C3M0120065J Rev. 1, 01-2021 Note Fig. 20 PDF
Документация на C3M0120065J 

Cree C3M0120065J Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 14.01.2021

Размер: 1.11 Мб

11 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    24 марта 2022
    статья

    Карбид-кремниевые транзисторы Wolfspeed для источников питания телекоммуникационного оборудования

    Александр Русу (г. Одесса) Расчеты компании Wolfspeed и опорные проекты на их основе показывают, что для выпрямительных устройств, предназначенных для питания телекоммуникационного и компьютерного оборудования, использование высоковольтных... ...читать

    24 февраля 2022
    статья

    Решения для отвода тепла от силовых приборов поверхностного монтажа

    Цзяньвень Шао, Франк Вэй, Синь Чжао, Джеймс Соловей (Wolfspeed) Инженеры компании Wolfspeed на основании проведенного исследования рассказывают, как наиболее оптимально расположить переходные отверстия для отвода тепла от силовых приборов... ...читать

    05 февраля 2021
    новость

    SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки

    Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.