C3M0120065J

VDS C3M0120065J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology 650 V ID @ 25˚C 21 A RDS(on) 120 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology Low inductance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
VDS C3M0120065J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology 650 V ID @ 25˚C 21 A RDS(on) 120 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package TAB Drain 3rd Generation SiC MOSFET technology Low inductance package with driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • • Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Easy to parallel and simple to drive Enable new hard switching PFC topologies (Totem-Pole) 1 2 3 G KS S 4 5 S S 6 S Gate (Pin 1) Driver Source (Pin 2) Applications • • • • • Solar inverters DC/DC converters Switch Mode Power Supplies EV battery chargers UPS Drain (TAB) 7 S Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Part Number Package Marking C3M0120065J TO-263-7 C3M0120065J Maximum Ratings Symbol VDSS Drain - Source Voltage, TC = 25 ˚C VGS Gate - Source voltage (Under transient events < 100 ns) ID ID(pulse) PD TJ , Tstg TL 1 Parameter Value Unit 650 V -8/+19 V Fig. 28 A Fig. 19 Continuous Drain Current, VGS = 15 V, TC = 25˚C 21 Continuous Drain Current, VGS = 15 V, TC = 100˚C 15 Pulsed Drain Current, Pulse width tP limited by Tjmax 51 A Power Dissipation, TC=25˚C, TJ = 175 ˚C 86 W -40 to +175 ˚C 260 ˚C Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature, 1.6mm (0.063”) from case for 10s C3M0120065J Rev. 1, 01-2021 Note Fig. 20 PDF
Документация на C3M0120065J 

Cree C3M0120065J Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 13.01.2021

Размер: 1.11 Мб

11 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 февраля
    новость

    SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки

    Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.