C3M0120090D
Транзистор N-МОП, SiC; технология C3M; 900 В; 23 А, 120 мОм, 97 Вт; TO-247-3. Технические характеристики: Корпус: TO-247-3; Максимальное напряжение сток-исток: 900 В; Ток стока номинальный при 25°C: 23 А; Сопротивление открытого канала: 120 Ом; Заряд затвора: 17,3 нКл; Рассеиваемая мощность: 97 Вт; Температура перехода: -55...+150 °С.
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: C3M
- Корпус: TO-247-3
- Норма упаковки: 1 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-247-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на C3M0120090D
Cree C3M0120090D SiC MOSFET Public datasheet Revision B
Дата модификации: 21.10.2020
Размер: 961.8 Кб
10 стр.
Публикации 6
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.