C3M0120090J

WOLFSPEED
Транзистор N-МОП, SiC; технология C3M; 900 В; 22 А, 120 мОм, 83 Вт; 7L D2PAK. Технические характеристики: Корпус: 7L D2PAK; Максимальное напряжение сток-исток: 900 В; Ток стока номинальный при 25°C: 22 А; Сопротивление открытого канала: 120 Ом; Заряд затвора: 17,3 нКл; Рассеиваемая мощность: 83 Вт; Температура перехода: -55...+150 °С.
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид C3M0065090J-TR

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0120090J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 900 V ID @ 25˚C 22 A RDS(on) 120 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package New C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances New low impedance package with driver source Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Wide creepage (~7mm) between drain and source TAB Drain Benefits • • • • Drain (TAB) 1 2 3 4 5 G KS S S S Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency 6 S 7 S Gate (Pin 1) Applications • • • • • Driver Source (Pin 2) Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Lighting Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Part Number Package C3M0120090J TO-263-7 Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions Note VDSmax Drain - Source Voltage 900 V VGS = 0 V, ID = 100 μA VGSmax Gate - Source Voltage -8/+19 V Absolute maximum values VGSop Gate - Source Voltage -4/+15 V Recommended operational values Note (1) VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg TL 22 14 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 50 A Pulse width tP limited by Tjmax Fig. 22 Power Dissipation 83 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C Fig. 20 -55 to +150 ˚C 260 ˚C Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature Note (1): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0120090J Rev. 2 10-2020 1.6mm (0.063”) from case for 10s PDF
Документация на C3M0120090J 

C3M0120090J

Дата модификации: 11.11.2020

Размер: 979.9 Кб

10 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    24 марта 2022
    статья

    Карбид-кремниевые транзисторы Wolfspeed для источников питания телекоммуникационного оборудования

    Александр Русу (г. Одесса) Расчеты компании Wolfspeed и опорные проекты на их основе показывают, что для выпрямительных устройств, предназначенных для питания телекоммуникационного и компьютерного оборудования, использование высоковольтных... ...читать

    24 февраля 2022
    статья

    Решения для отвода тепла от силовых приборов поверхностного монтажа

    Цзяньвень Шао, Франк Вэй, Синь Чжао, Джеймс Соловей (Wolfspeed) Инженеры компании Wolfspeed на основании проведенного исследования рассказывают, как наиболее оптимально расположить переходные отверстия для отвода тепла от силовых приборов... ...читать

    30 декабря 2020
    статья

    Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности... ...читать

    03 ноября 2020
    статья

    900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

    Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того... ...читать

    09 октября 2020
    новость

    Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

    Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид–кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)