C3M0120090J

Транзистор N-МОП, SiC; технология C3M; 900 В; 22 А, 120 мОм, 83 Вт; 7L D2PAK. Технические характеристики: Корпус: 7L D2PAK; Максимальное напряжение сток-исток: 900 В; Ток стока номинальный при 25°C: 22 А; Сопротивление открытого канала: 120 Ом; Заряд затвора: 17,3 нКл; Рассеиваемая мощность: 83 Вт; Температура перехода: -55...+150 °С.
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= C3M0120090J-TR (CREE PWR) TO2637 MOSFET N-CH 900V 22A

Файлы 1

показать свернуть
C3M0120090J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 900 V ID @ 25˚C 22 A RDS(on) 120 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • Package New C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances New low impedance package with driver source Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant TAB Drain Benefits • • • • Drain (TAB) Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency 1 2 3 4 5 G KS S S S 7 S Gate (Pin 1) Applications • • • • • 6 S Driver Source (Pin 2) Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Lighting Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Part Number Package C3M0120090J 7L D2PAK Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions Note VDSmax Drain - Source Voltage 900 V VGS = 0 V, ID = 100 μA VGSmax Gate - Source Voltage -8/+18 V Absolute maximum values VGSop Gate - Source Voltage -4/+15 V Recommended operational values Note (1) VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg TL 22 14 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 50 A Pulse width tP limited by Tjmax Fig. 22 Power Dissipation 83 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C Fig. 20 -55 to +150 ˚C 260 ˚C Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature Note (1): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0120090J Rev. - , 12-2015 1.6mm (0.063”) from case for 10s PDF
Документация на C3M0120090J 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 03.12.2015

Размер: 1.06 Мб

10 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    15 октября
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    09 октября
    новость

    Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

    Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид–кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является... ...читать

    19 июля 2017
    новость

    Первый в мире 1000V SiC MOSFET

    Являясь пионером в области карбид–кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.