C3M0120100J

MOSFET N-CH SIC 1KV 22A D2PAK-7
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C3M0120100J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 1000 V ID @ 25˚C 22 A RDS(on) 120 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • • Package C3MTM SiC MOSFET technology Low parasitic inductance with separate driver source pin 7mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low On-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Low output capacitance (60pF) Halogen free, RoHS compliant TAB Drain Benefits • • • • • 1 2 3 G KS S Reduce switching losses and minimize gate ringing Higher system efficiency Reduce cooling requirements Increase power density Increase system switching frequency 4 5 S S 6 S Drain (TAB) 7 S Gate (Pin 1) Driver Source (Pin 2) Applications • • • • Renewable energy EV battery chargers High voltage DC/DC converters Switch Mode Power Supplies Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Part Number Package Marking C3M0120100J TO-263-7 C3M0120100J Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 1000 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID ID(pulse) PD TJ , Tstg TL Continuous Drain Current 22 13.5 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 50 A Pulse width tP limited by Tjmax Fig. 22 Power Dissipation 83 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C Fig. 20 -55 to +150 ˚C 260 ˚C Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0120100J Rev. -, 04-2017 1.6mm (0.063”) from case for 10s PDF
Документация на C3M0120100J 

Cree CMF20102D SiC MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 24.03.2017

Размер: 1.14 Мб

10 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    15 октября
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    19 июля 2017
    новость

    Первый в мире 1000V SiC MOSFET

    Являясь пионером в области карбид–кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.