C3M0280090J

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= C3M0280090J-TR (CREE PWR) TO2637 8 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
C3M0280090J Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 900 V ID @ 25˚C 11 A RDS(on) 280 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • • Package New C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capacitances New low impedance package with driver source Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant TAB Drain Benefits • • • • Drain (TAB) Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency 1 2 3 4 5 G KS S S S 7 S Gate (Pin 1) Applications • • • • • 6 S Driver Source (Pin 2) Renewable energy Lighting High voltage DC/DC converters Telecom Power Supplies Induction Heating Power Source (Pin 3,4,5,6,7) Part Number Package C3M0280090J 7L D2PAK Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions Note VDSmax Drain - Source Voltage 900 V VGS = 0 V, ID = 100 μA VGSmax Gate - Source Voltage -8/+18 V Absolute maximum values VGSop Gate - Source Voltage -4/+15 V Recommended operational values Note (1) VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg TL 11 7 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 22 A Pulse width tP limited by Tjmax Fig. 22 Power Dissipation 50 W TC=25˚C, TJ = 150 ˚C Fig. 20 -55 to +150 ˚C 260 ˚C Operating Junction and Storage Temperature Solder Temperature Note (1): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V 1 Value C3M0280090J Rev. - , 12-2015 1.6mm (0.063”) from case for 10s PDF
Документация на C3M0280090J-TR 

Wolfspeed C3M0280090D Gen3 SiC MOSFET

Дата модификации: 03.12.2015

Размер: 1.07 Мб

10 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    30 декабря
    статья

    Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

    Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности... ...читать

    03 ноября 2020
    статья

    900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

    Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того... ...читать

    15 октября 2020
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

    09 октября 2020
    новость

    Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

    Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид–кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.