C6D10065A

Диод выпрямительный 1 на напряжение до 650 В, ток до 10 А, с падением напряжения 1.27 В, ёмкостью перехода 0.035 мкФ, в корпусе TO220AC, производства WOLFSPEED (A Cree Company) (CREE PWR)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Емкость перехода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
C6D10065A VRRM Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec Rectifier ® 650 V IF (TC=155˚C) = 10 A Qc Features • • • • • • • = = 34 nC Package New 6th Generation Technology Low Forward Voltage Drop (VF) Zero Reverse Recovery Current Zero Forward Recovery Voltage Low Leakage Current (Ir) Temperature-Independent Switching Behavior Positive Temperature Coefficient on VF TO-220-2 Benefits • • • • PIN 1 Higher System Level Efficiency Increase System Power Density Reduction of Heat Sink Requirements Parallel Devices Without Thermal Runaway Applications • • • • • CASE PIN 2 Part Number Package Marking C6D10065A TO-220-2 C6D10065 Switch Mode Power Supplies (SMPS) Server/Telecom Power Supplies Industrial Power Supplies Solar UPS Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions Note VRRM Repetitive Peak Reverse Voltage 650 V VDC DC Blocking Voltage 650 V Continuous Forward Current 37 19 10 A TC=25˚C TC=125˚C TC=155˚C IFRM Repetitive Peak Forward Surge Current 45 27 A TC=25˚C, tP = 10 ms, Half Sine Wave TC=110˚C, tP=10 ms, Half Sine Wave IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 86 75 A TC=25˚C, tp = 10 ms, Half Sine Wave TC=110˚C, tp = 10 ms, Half Sine Wave Fig. 8 IF,Max Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 1250 1100 A TC=25˚C, tP = 10 µs, Pulse TC=110˚C, tP = 10 µs, Pulse Fig. 8 Ptot Power Dissipation 109 47 W TC=25˚C TC=110˚C Fig. 4 -55 to +175 ˚C 1 8.8 Nm lbf-in IF TJ , Tstg Operating Junction and Storage Temperature TO-220 Mounting Torque 1 Value C6D10065A, Rev. -, 04-2019 M3 Screw 6-32 Screw Fig. 3 PDF
Документация на C6D10065A 

Cree C6D10065A Silicon Carbide Schottky Diode - Zero Recovery Rectifier

Дата модификации: 28.04.2020

Размер: 702 Кб

6 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    24 декабря 2020
    статья

    Карбид-кремниевые диоды компании Wolfspeed

    Александр Русу (г. Одесса) В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид–кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1... ...читать

    18 ноября 2020
    статья

    Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД

    Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид–кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только... ...читать

    02 ноября 2020
    новость

    Силовые компоненты Wolfspeed на основе карбида кремния (SiC) (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном силовым компонентам на основе карбида кремния (SiC) компании Wolfspeed.Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.