CAB006A12GM3
CAB006A12GM3
1200 V, 6 mΩ All-Silicon Carbide
Half-Bridge Module
1200 V
RDS(on)
6 mΩ
Package
Technical Features
•
•
•
•
•
VDS
Ultra-Low Loss
High Frequency Operation
Zero Turn-Off Tail Current from MOSFET
Normally-Off, Fail-Safe Device Operation
Aluminum Nitride Ceramic Substrate
Applications
•
•
•
•
•
DC+
EV Chargers
Solar
High-Efficiency Converters / Inverters
Motor & Tracti...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: MOSFET силовой модуль
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьНапряжение сток-исток максимальное | ||
---|---|---|
Схема модуля | ||
Максимальный рабочий ток при 25°C | ||
Рабочий диапазон напряжений затвора | ||
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора | ||
Рабочая температура |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CAB006A12GM3
CAB006A12GM3 Rev. 0
Дата модификации: 11.11.2022
Размер: 1.97 Мб
11 стр.
Публикации 2
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.