CAB011M12FM3

CAB011M12FM3 1200 V, 11 mΩ All-Silicon Carbide Half-Bridge Module Technical Features • • • • VDS 1200 V RDS(on) 11 mΩ Package Ultra-Low Loss High Frequency Operation Zero Turn-Off Tail Current from MOSFET Normally-Off, Fail-Safe Device Operation Applications • • • • • EV Chargers Solar High-Efficiency Converters / Inverters Motor & Traction Drives Smart-Grid / Grid-Tied Distribu...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус:
  • Норма упаковки: 2  шт.

Файлы 1

показать свернуть
CAB011M12FM3 1200 V, 11 mΩ All-Silicon Carbide Half-Bridge Module Technical Features • • • • VDS 1200 V RDS(on) 11 mΩ Package Ultra-Low Loss High Frequency Operation Zero Turn-Off Tail Current from MOSFET Normally-Off, Fail-Safe Device Operation Applications • • • • • EV Chargers Solar High-Efficiency Converters / Inverters Motor & Traction Drives Smart-Grid / Grid-Tied Distributed Generation System Benefits • Enables Compact, Lightweight Systems • Increased System Efficiency due to Low Switching & Conduction Losses of SiC • Reduced Thermal Requirements and System Cost Maximum Parameters (Verified by Design) Symbol Parameter VDS max Drain-Source Voltage VGS max Gate-Source Voltage, Maximum Value VGS op ID ISD BD Gate-Source Voltage, Recommended Op. Value DC Continuous Drain Current (TVJ ≤ 150 ˚C) DC Continuous Drain Current (TVJ ≤ 175 ˚C) Min. -8 +19 -4 +15 105 109 55 DC Source-Drain Current (Body Diode) 1 Maximum Virtual Junction Temperature under Switching Conditions Max. Unit Test Conditions Note 1200 ID (pulsed) Maximum Pulsed Drain Current TVJ op Typ. V Transient, <100 ns Static Fig. 33 VGS = 15 V, TH= 50 ˚C, TVJ ≤ 150 ˚C Fig. 20 VGS = 15 V, TH= 50 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C A VGS = - 4 V, TH = 50 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C tPmax limited by Tjmax VGS = 15 V, TH = 50 ˚C 218 -40 150 °C Operation -40 175 °C Intermittent with Reduced Life Rev. 1, 2021-01-25 CAB011M12FM3 4600 Silicon Dr., Durham, NC 27703 Copyright ©2021 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree®, the Cree logo, Wolfspeed®, and the Wolfspeed logo are registered trademarks of Cree, Inc. PDF
Документация на CAB011M12FM3 

CAB011M12FM3 Rev. 1 Public datasheet Revision 1

Дата модификации: 25.01.2021

Размер: 2.02 Мб

11 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    23 ноября
    статья

    Карбид кремния позволяет повысить КПД и удельную мощность ИБП с двойным преобразованием

    Построение источников бесперебойного питания с двойным преобразованием, широко используемых в современных хранилищах данных, на базе карбид–кремниевых MOSFETs производства Wolfspeed позволяет уменьшить мощность потерь в них до 40%, а также... ...читать

    29 января 2021
    статья

    Мощные карбид-кремниевые модули Wolfspeed для выпрямителей зарядных станций автомобилей

    Александр Русу (г. Одесса) Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид–кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.