CAB400M12XM3

1200 V, 400 A All-Silicon Carbide Switching-Loss Optimized, Half-Bridge Module
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Схема модуля
Максимальный рабочий ток при 25°C
Рабочий диапазон напряжений затвора
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
CAB400M12XM3 VDS 1200 V IDS 400 A 1200 V, 400 A All-Silicon Carbide Switching-Loss Optimized, Half-Bridge Module Technical Features Package 80 x 53 x 19 mm • • • • High Power Density Footprint High Junction Temperature (175 °C) Operation Low Inductance (6.7 nH) Design Implements Third Generation SiC MOSFET Technology Optimized for Low Switching Loss • Silicon Nitride Insulator and Copper Baseplate Applications • • • • Motor & Traction Drives Vehicle Fast Chargers Uninterruptable Power Supplies Smart-Grid / Grid-Tied Distributed Generation System Benefits • Terminal layout allows for direct bus bar connection without bends or bushings enabling a simple, low inductance design. • Isolated integrated temperature sensing enables high-level temperature protection. • Dedicated drain Kelvin pin enables direct voltage sensing for gate driver overcurrent protection. Key Parameters (TC = 25˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter VDS max Drain-Source Voltage VGS max Gate-Source Voltage, Maximum Value -4 +19 VGS op Gate-Source Voltage, Recommended Operating Value -4 +15 Typ. Max. AC frequency ≥ 1 Hz Note 1 Static VGS = 15 V, TC = 90 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C Note 2 395 DC Source-Drain Current (Body Diode) 220 A IDS pulsed Maximum Pulsed Drain-Source Current 800 ISD pulsed Maximum Pulsed Source-Drain Current 800 -40 V 298 DC Source-Drain Current Note 1 Note 2 Note VGS = 15 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C Fig. 20 ISD Maximum Virtual Junction Temperature under Switching Conditions Test Conditions 395 DC Continuous Drain Current TVJ op Unit 1200 IDS ISD BD 1 Min. 175 VGS = 15 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C VGS = - 4 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C tP max limited by Tj max VGS = 15 V, TC = 25 ˚C °C If MOSFET body diode is not used, VGS max = -8/+19 V Assumes RTH JC = 0.15 °C/W and RDS on = 6.4 mΩ. Calculate PD = (TVJ – TC) / RTH JC. Calculate ID max = √(PD / RDS on) Rev. -, 2019-10-31 CAB400M12XM3 4600 Silicon Dr., Durham, NC 27703 Copyright ©2019 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree®, the Cree logo, Wolfspeed®, and the Wolfspeed logo are registered trademarks of Cree, Inc. PDF
Документация на CAB400M12XM3 

CAB400M12XM3 Public Datasheet Revision

Дата модификации: 23.10.2020

Размер: 794.4 Кб

9 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    29 января 2021
    статья

    Мощные карбид-кремниевые модули Wolfspeed для выпрямителей зарядных станций автомобилей

    Александр Русу (г. Одесса) Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид–кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное... ...читать

    03 ноября 2020
    статья

    900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

    Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.